闲话不多说,直接进主题!有说的不对的地方还请各位不吝赐教。
1.原理篇
中性点箝位(Neutral Point Clamped,NPC)全桥变换器,其结构如图1-1所示。之所以称之为NPC是因为,两个串联的直流电容的中点o与两个桥臂的箝位二极管中点连接,至于其作用,且看下文分解。
图1-1
先对该电路的工作模式经行说明,若直流电压为E,在不考虑C1和C2电容电压不平衡的情况下,即VC1=VC2=E/2。图中开关管S1,S2,S3,S4,S5,S6,S7,S8的开关信号关系为:以左半桥臂为例,S1与S3信号相反,S2与S4信号相反;右半桥臂规律相同。
模式1:定义电流 i 从电源正极流出为正,i >0 时电流流经的路径如图1-2所示。此时,开关管S1、S2、S7、S8导通,电流流经四个IGBT,逆变器输出端口ab的电压Vab=E。
图1-2
i <0 时,依旧是开关管S1、S2、S7、S8导通,与电流为正时不同的是:由于IGBT不能反向流过电流,电流流经各IGBT的四个反并联二极管,逆变器输出端口ab的电压依旧是Vab=E。电流流经的路径如图1-3所示。
图1-3
模式2:开关管:S3、S4、S5和S6导通,输出电压Vab = -E。
i > 0 时,电流流经的路径如图1-4所示。
图1-4
i < 0 时,电流流经的路径如图1-5所示。电流不再流经四个导通的IGBT,而是流过与其相应的反并联二极管。
图1-5
模式3(b):开关管:S2、S3、S7和S8导通,输出电压Vab = Vc2= E/2。
i2 > 0 时,电流流经箝位二极管D1以及S2、S7、S8的IGBT,如图1-8所示。
图1-8
i2 < 0 时,电流流经S3的IGBT,S7、S8的反并联二极管以及箝位二极管D2,如图1-9所示。
模式4(a):S2、S3、S5以及S6导通,输出电压Vab = -Vc1= - E/2。
i1 > 0 时,电流流经S3、S5、S6的IGBT以及箝位二极管D2,如图1-10所示。
图1-10
i1 > 0 时,电流流经S2的IGBT,S5、S6的反并联二极管以及箝位二极管D1,如图1-11所示。
图1-11
模式4(b):S3、S4、S6以及S7导通,输出电压Vab = -Vc2= - E/2。
i2 > 0 时,电流流经S3、S4、S6的IGBT以及箝位二极管D3,如图1-12所示。
图1-12
i2 > 0 时,电流流经S7的IGBT,S3、S4的反并联二极管以及箝位二极管D4,如图1-13所示。
图1-13
至此,对于NPC全桥变换器的所有工作模式均已详细列出,从上述所述的工作模式中可以看出,若逆变电源电压为E,通过正确的调制策略,则逆变输出侧的波形会呈现出±E,±E/2以及0这五种电平的阶梯波(只考虑调制度在合适的情况下)。基于MATLAB/SIMULINK仿真可以更加清楚地理解,如图1-16是仿真的波形。仿真中,逆变电源采用的是100V的直流源。
图1-16
你好,感谢你的提问!这是我第一次发帖,需要管理员审核后才能转移到逆变区,而这两天是周末他们休息,所以目前为止我还在实习区。
对于多电平拓扑结构的优势就是设备的耐压等级得到了提高,适合高电压等级的工作场合,同时容量也大大增加,端口电平更接近正弦波,谐波特性好等。单从输出电平的正弦性来看,与H-bridge全桥变换器相比较,NPC全桥变换器明显地多出两种电平,而电平数越多就越接近正弦波,那么对于输出滤波的要求就越低。
当然,相比于两电平结构,这种结构要复杂一些,所用开关管更多,相应成本也增加了。
性能与成本,鱼与熊掌,不可兼得。
,调侃一下了,多谢哥们这么认真的回答~
三电平每个管子电压应力降低,所以电压等级可以做的更高。你说谐波含量降低,这种拓扑R载的THDu能达到多少?
另控制上用FPGA的话,驱动应该比较好搞,只是疑问你的角度如何选择,比如多少角度内用±E/2的电平,多少角度内用±E的电平,这个又是如何来确定的呢?
由于实验室电能质量分析仪外借了,纯电阻负载条件下THDu暂时无法测量,因此不能定量地说谐波含量降低多少。仅凭
对于,多少角度内用±E/2的电平,多少角度内用±E的电平,这是由调制波与载波决定的,通过直接比较,给相应的开关信号就行了。在低调制度下,逆变输出的波形退化为三电平与单极性调制下H桥的逆变波形一致。
多电平变换器的一个重要研究点就是直流侧电压均衡问题,直流电压均衡直接确定了变换器是否能够正常工作,影响电能的质量。
前面用了很大的篇幅去介绍变换器的几种工作模式,可以看出模式1与模式2(输出电平为±E)对两个直流侧的电容C1、C2的充放电作用是相同的,因此在这种模式下,电容C1、C2的电压是相等的;对于模式5(输出电平为0)电容C1、C2无充放电,因此这种情况下两电容电压也是相等的;而对于模式3和模式4这两种工作状态,由于电流对两个电容C1、C2的充放电时间不同,会导致两个电容电压的不平衡。在设计的时候两个电容均是按照额定电压设计的,若某个电容长时间承受高压,会影响电容的寿命,过压严重时甚至可能导致电容损坏。
因此,保持两个电容C1、C2电压的均衡是这里需要解决的另一问题。那么,问题来了,如何保证这C1、C2的电压平衡?
方式之一就是采用外部均压电路,通过储能元件电容或电感以及控制相应的开关管,实现C1、C2之间的能量通过储能电容或电感相互传递,这样就可以保证电压均衡。这种均压方式很简单,也容易实现,但是这种方式的一个弊端就是额外增加了硬件电路,增加了系统的复杂度以及成本,额外硬件电路的增加也导致了可靠性的降低。
怎么这么低的电压,发挥不出三电平的优势呀~
仔细看你的波形,正半周大概有70多度是有+E/2和0电平组成,且都是在过零点旁边,可否详细说说原因及效果?
1. 电压越高,死区效应越明显,特别在过零点附近,此时占空比比较小,死区时间影响比较大。
2. 如果用+E/2,相同输出电压下相当于调制度变大,占空比变大一倍,死区的影响就比较小。
暂时想不出来还有啥其他好处~
前面也说了啊,本文只是做个小功率的实验验证,只是为了验证基本的控制与调制啊,这只是课题中的一个小点。在实验室里没必要整个一两千伏的电压,几千瓦的功率啊,当然功率做上去以后肯定还有其他的一系列问题。
你从死区时间的角度分析了这个问题,在这里受教了。
我们平时在做多电平的时候考虑的是不跳电平,做到一个“平滑过渡”的过程,也就是说对应n电平变换器,希望的电平数是n→n-1→...→1→0→-1→...→-n-1→-n
在上图中所框出的那个区间,可以采用0与E或0与-E合成,但是相比于0与E/2和0与-E/2,出现了跳电平的现象,从你说的死区角度来说,就是占空比减少,死区时间影响变大。
多谢回答哈~
2电平全桥不存直流侧电压不平衡的问题,半桥就存在正负BUS不平衡的现象。楼主说影响电能质量,本质是输出电压因为正负BUS不平衡,导致正负半周能量不等,产生了直流分量。带常用阻性负载问题不大,带变压器等感性负载就会有问题,会导致直流偏置电流越来越大。