在双mos 降压电路中,H-MOS 关断到L-MOS 打开的区间内,phase点电位会有负压尖峰,望大师们解惑
這是發生short Threshold
試著幾點
1). 換MOSFET Qg 大一點的
2). 死區若可改, 死區調小
3). 下橋MOSFET 試著並聯一顆蕭特基二極體
4). 自舉電路, 二極體端串連一顆電阻, 或自舉電容變小
幾種方法試看吧.......
juntion版主,
有关于short Threshold的资料介绍吗?刚学这一块,不是很了解
谢谢!