求助！！用Tps40210 做12V酸铅电池升27.5V, 无法负载 !!! ??

新人报到, 请各位大大帮忙

在下做了一个备用升压电路, 从12V(酸铅电池) 升到 27V (用于主电路), Iout=4.5A, 我是直接用TI网上电路设计软件(Vin=11~14V, Vout=27.5@Iout=4A) , 无负载时电压正常,

第一次测试时无负载正常, 拉0.5A时电压就掉到~10V, 查了一下, 可能是电感的饱和电流太低(6.6A),

换了一颗大一点的, 电感值和饱和电流10uH@23A,

结果“好一点”, 无负载时电压正常, dc负载测试时, 刚开始增加负载电流(0.2A左右)时电压就从27V下掉到25V, 然后电压在25V稳定, 维持到负载电流1.5A左右,但是当负载电流继续上升, 电压就一直下跌,负载电流上升到2.2A左右,电压直接下跌至10V,请问这是什么原因??

附上我的电路图

全部回复(6)

只看楼主

正序查看

倒序查看

top041376

LV.6

2018-02-08 10:08

帮顶

154600

2018-02-08 16:58

@top041376

帮顶

从SCH上来看，基本看不出什么错误；

从你的描述的现象来看，升压芯片是工作了，但是带不了载；

我认为有两种情况：

1.反馈环路不稳定，导致IC不能正常工作；

2.是PCB布局不好，影响了；

还有就是R50的取值也有关系，建议先调整一下该阻值看看；

最好能够贴出PCB图以及GATE的驱动波形（空载和带载时的），有利于分析。

neverfindyou

LV.1

2018-02-08 21:42

@154600

从SCH上来看，基本看不出什么错误；从你的描述的现象来看，升压芯片是工作了，但是带不了载；我认为有两种情况：1.反馈环路不稳定，导致IC不能正常工作；2.是PCB布局不好，影响了；还有就是R50的取值也有关系，建议先调整一下该阻值看看；最好能够贴出PCB图以及GATE的驱动波形（空载和带载时的），有利于分析。

好的, 謝謝大大

我測試後再發文討論

eward250

LV.2

2018-02-09 13:40

@neverfindyou

好的,謝謝大大我測試後再發文討論

感觉都差不多哈

neverfindyou

LV.1

2018-02-13 22:27

@neverfindyou

好的,謝謝大大我測試後再發文討論

跟各位拜个早年!!!

版主大大的建议, 跑了一些测试

发给各位大大看一下

附上 layout 和 gate 波型图

p.s: 降低R50的阻值(4mR 降到 3.9mR), 结果一样, 可能降太少, 还须测试.

另外, 我用之前的试作板测试了一下(R50阻值 => 4mR), 虽然正常负载, ˋ

但是 ti 推荐使用的 mosfet (BSZ100N06LS3 G, 大概 4.5x4.5(mm) 大小), 负载3A以上温度快速上升, 热到焊锡熔化, 这种情况正常吗?

若是正常情况, 需要换一颗可以加散热片的mosfet吗? 还是在背面(bottom layer) 画一个散热区?

ymyangyong

2018-02-23 10:11

@neverfindyou

跟各位拜个早年!!! 版主大大的建议,跑了一些测试发给各位大大看一下附上layout和gate波型图boost_layout_v1no_chartge100mA500mA1000mA2000mA3000mAp.s:降低R50的阻值(4mR降到3.9mR),结果一样,可能降太少,还须测试. 另外,我用之前的试作板测试了一下(R50阻值=>4mR),虽然正常负载, ˋ但是ti推荐使用的mosfet(BSZ100N06LS3G,大概4.5x4.5(mm)大小),负载3A以上温度快速上升,热到焊锡熔化,这种情况正常吗?若是正常情况,需要换一颗可以加散热片的mosfet吗?还是在背面(bottomlayer)画一个散热区?

建议换更低导通电阻的MOS,选TO220或者252封装,并加大散热面积。

工程师都在看

【 DigiKey DIY原创大赛】基于树莓派的自行车电子围栏设计

Godsama

【 DigiKey DIY原创大赛】综合帖-解压小工具

无言的朝圣

【 DigiKey DIY原创大赛】-基于STM32G030CBT6的GPS北斗双模授时终端

小小申

【 DigiKey DIY原创大赛】基于STM32的直流生理电刺激治疗仪

大_树

【 DigiKey DIY原创大赛】开源项目 - 恒温加热平台

Jellysplash