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EGS002 H橋高頻一直炸管求解 感謝..

各位大神好

小弟最近刚摸EGS002板子做逆变器

我要输入DC156v输出AC110-60Hz

我将C2，C8自举换成47uf的RG电阻22欧姆，RGS电阻10K欧姆

也有在2边半桥管上接CBB电容

因为不需要Vfb与Ifb所以给予Vfb：2.8v，Ifb：接地

一般100w都还可以但是载往上就会一直炸高频管，困扰了很久......

MOSFET：TK31N60X，这样子MOS规格都还不行，继续炸管

为了保护驱动版，将讯号4条线单独拉出来在给TLP350，其他参数一样，但是不管怎么送，讯号都有毛边，MOS也一直炸，真的找不到原因了....后面滤波电感目前先用1.5mH，电容2.2uF

最终的输出要AC：110v，60Hz 1000w输出请各位大大帮帮忙了，真的心很累，弄不来快流泪了......

在往上要200瓦特瓦时，直流电压就上不去了，125V，电流0.5A就炸了

下面是我的波型图

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米山人家
LV.8
2
2019-05-15 12:15

R11，R12，R15，R16换成20欧或30欧，4.7欧太小，相当于没有。

另外IR840并联阻尼二极管，IR840内部的二极管是寄生的，特性很差，满足不了电感续流要求

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123adg
LV.1
3
2019-05-15 12:58
@米山人家
R11，R12，R15，R16换成20欧或30欧，4.7欧太小，相当于没有。另外IR840并联阻尼二极管，IR840内部的二极管是寄生的，特性很差，满足不了电感续流要求

我用的MOS是TK的，型号TK31N60X，TO-247封装

R11、R12、R15、R16目前已经是放22欧姆的

但是使用寄生二极体，没有外挂

谢谢大哥

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123adg
LV.1
4
2019-05-15 13:02
@123adg
我用的MOS是TK的，型号TK31N60X，TO-247封装R11、R12、R15、R16目前已经是放22欧姆的但是使用寄生二极体，没有外挂谢谢大哥

这个是我的MOS内部资料

TK31N60X

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FQCAD
LV.5
5
2019-05-15 15:56
@123adg
这个是我的MOS内部资料TK31N60X[图片][图片][图片][图片]
首先VFB不要直接接个2.8V上去，而是将其正常接电压反馈。要出110V，大概用100K+2K分压即可。大多数炸管原因是：由于米勒效率，同一桥臂两个管，其中一个开通时，干扰另一个误导通，导致上下桥直通短路炸管。输入电容越大的场管，干扰越是严重。可以通过观察波形得知，会发现驱动波形振铃严重。解决方式是，改用负压关断，或换比较容易驱动的功率管，如部分IGBT。二是死区应该设大点，最好不少于1US
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123adg
LV.1
6
2019-05-15 16:42
@FQCAD
首先VFB不要直接接个2.8V上去，而是将其正常接电压反馈。要出110V，大概用100K+2K分压即可。大多数炸管原因是：由于米勒效率，同一桥臂两个管，其中一个开通时，干扰另一个误导通，导致上下桥直通短路炸管。输入电容越大的场管，干扰越是严重。可以通过观察波形得知，会发现驱动波形振铃严重。解决方式是，改用负压关断，或换比较容易驱动的功率管，如部分IGBT。二是死区应该设大点，最好不少于1US

我的死区设置是1.5us

目前手边没有IGBT，但是我使用的这颗MOS的电容应该是蛮小的了

100k跟2k的电阻应该放在哪边呢?   R19跟R23吗?

因为想说不需要回授，直接给予一个额定电压让它不会进入保护

拉回授的方法不是需要考虑更多的变数嘛?

还是小弟认知有错误呢?

还烦请各位大神帮助厘清小弟的观念，感谢各位了

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FQCAD
LV.5
7
2019-05-15 17:12
@123adg
我的死区设置是1.5us目前手边没有IGBT，但是我使用的这颗MOS的电容应该是蛮小的了100k跟2k的电阻应该放在哪边呢?  R19跟R23吗?因为想说不需要回授，直接给予一个额定电压让它不会进入保护拉回授的方法不是需要考虑更多的变数嘛?还是小弟认知有错误呢?还烦请各位大神帮助厘清小弟的观念，感谢各位了
R19用100K，Ｒ21用2K，如果不需要微调，可不要R23。电压反馈是，输出电压经分压滤波后与EG8010内部3V进行误差计算的，正常工作时，VFB应该是3V的峰值电压。低于就会自动调高占空比，直至最大占空比，电路如果本身工作不稳压，干扰大。当占空比过高时，更容易炸管。
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123adg
LV.1
8
2019-05-16 15:33
@FQCAD
R19用100K，Ｒ21用2K，如果不需要微调，可不要R23。电压反馈是，输出电压经分压滤波后与EG8010内部3V进行误差计算的，正常工作时，VFB应该是3V的峰值电压。低于就会自动调高占空比，直至最大占空比，电路如果本身工作不稳压，干扰大。当占空比过高时，更容易炸管。
杂讯依旧严重，又炸管了，只要一送主电源，杂讯全部跑出来，不送主电源开关波型都正常
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FQCAD
LV.5
9
2019-05-16 21:10
@123adg
杂讯依旧严重，又炸管了，只要一送主电源，杂讯全部跑出来，不送主电源开关波型都正常
不知你要做多大的输出功率，建议换成IGBT管FGH40N60，很容易驱动，体二极管恢复时间快。对于SPWM的 H桥，试过很多型号的管，发现同级别的MOS比IGBT难驱动，G极振荡很大。
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123adg
LV.1
10
2019-05-16 21:38
@FQCAD
不知你要做多大的输出功率，建议换成IGBT管FGH40N60，很容易驱动，体二极管恢复时间快。对于SPWM的 H桥，试过很多型号的管，发现同级别的MOS比IGBT难驱动，G极振荡很大。

好的，我已经订货了还请教一个问题，您的Rg跟Rgs都是放20欧姆还有10k欧姆吗?

因为我目前要做的是1000w，最大110v、10A

输出想直接输入直流156v转成110v交流输出供给负载。

请问一下，您的逆变器一样是只有EGS002的板子跟H桥吗?可否知道您都是用那些参数呢?

我看别人的帖子好像都还有另外一块电路板，我的单只有EGS002+H桥，不知道是否有什么影响呢?

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FQCAD
LV.5
11
2019-05-17 13:12
@123adg
好的，我已经订货了还请教一个问题，您的Rg跟Rgs都是放20欧姆还有10k欧姆吗?因为我目前要做的是1000w，最大110v、10A输出想直接输入直流156v转成110v交流输出供给负载。请问一下，您的逆变器一样是只有EGS002的板子跟H桥吗?可否知道您都是用那些参数呢?我看别人的帖子好像都还有另外一块电路板，我的单只有EGS002+H桥，不知道是否有什么影响呢?
RG电阻可参考功率管的规格书上的值，一般选4.7-10欧之间，过小驱动波形上升过快，容易振荡，导致不稳定。过大功率管开启时间过长，损耗增加，发热大。取舍问题，视实际情况选择一个平衡点。RGS电阻则没有太多要求，并此电阻主要是降低MOS管输入阻抗，某些情况可抑制干扰信号，避免管子误导通，阻值越小抑制效果越好，但会增加驱动负担，一般取4.7K。如果只是将156V直流变110V交流，EGS002加H桥，再加LC滤波即可。电路参数没有什么区别的，关键在于布线，驱动线应尽可能短
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FQCAD
LV.5
12
2019-05-17 13:17
@FQCAD
RG电阻可参考功率管的规格书上的值，一般选4.7-10欧之间，过小驱动波形上升过快，容易振荡，导致不稳定。过大功率管开启时间过长，损耗增加，发热大。取舍问题，视实际情况选择一个平衡点。RGS电阻则没有太多要求，并此电阻主要是降低MOS管输入阻抗，某些情况可抑制干扰信号，避免管子误导通，阻值越小抑制效果越好，但会增加驱动负担，一般取4.7K。如果只是将156V直流变110V交流，EGS002加H桥，再加LC滤波即可。电路参数没有什么区别的，关键在于布线，驱动线应尽可能短
在GS极并入适当的电容，可以缓解振荡，副作用是开启时间变长，损耗增加，但稳定性要很多。
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123adg
LV.1
13
2019-05-18 13:21
@FQCAD
在GS极并入适当的电容，可以缓解振荡，副作用是开启时间变长，损耗增加，但稳定性要很多。

我昨天将原NMOS换成IGBT，确实波型好了非常多

在GS两端有并上一颗电容，容值是0.1Ciss约200pF，但高频桥依旧有杂讯待解决

这时候是100w，还不敢送载

因为我是找到现有的IGBT上去接，型号是：IRGP4069D，不知道是否跟开关的特性有关系才有这高频桥杂讯

请问大哥的FGH40N60用TLP350是否推得动呢?

附上目前的開關波型圖

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123adg
LV.1
14
2019-05-18 13:26
@米山人家
R11，R12，R15，R16换成20欧或30欧，4.7欧太小，相当于没有。另外IR840并联阻尼二极管，IR840内部的二极管是寄生的，特性很差，满足不了电感续流要求

感谢大哥指导，目前波型确实好了非常多，但在解决高频桥的杂讯出现

这方面各位大哥在做逆变器会去量测开关波型GS吗?

上图的波型是我有在MOS三脚上都挂上磁珠去量测，但依旧在高频桥有杂讯

还是可以不去管那些杂讯继续送载呢?

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FQCAD
LV.5
15
2019-05-19 11:19
@123adg
感谢大哥指导，目前波型确实好了非常多，但在解决高频桥的杂讯出现这方面各位大哥在做逆变器会去量测开关波型GS吗?上图的波型是我有在MOS三脚上都挂上磁珠去量测，但依旧在高频桥有杂讯还是可以不去管那些杂讯继续送载呢?

1。GS电容建议并到2nf,保证上升时间不超400NS为宜，

2.TLP350驱动FGH40N60卓卓有余，驱动太强也未必是好事，实际上最大驱动电流又会受制于RG电阻的值。考虑低成本的话，用IR2110驱动即可。

3.对于SPWM的H桥，无论如何波形都不会做得很理想的，与MOS，IGBT的特性有关，米勒效应只能减弱，不能消除。波形多少都会有振荡，特别是上升过程，主要是要避免管子关断之后，不要被振荡干扰导致误导通即可。常规做法是关断用有源钳位，或用负压关断。

驱动波形拉开观察，看细节，主要看同一臂的一个管子关断后，在另一管开通瞬间，会有一个振荡，主要保证这个振荡电压不要到达管子的开启电压，最好能在3V以下，才能放心带载测试。

另外还可以通过串入电流表监测H侨的空载电流，正常情况，空载电流应在几毫安范围。

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FQCAD
LV.5
16
2019-05-19 11:39
@FQCAD
1。GS电容建议并到2nf,保证上升时间不超400NS为宜，2.TLP350驱动FGH40N60卓卓有余，驱动太强也未必是好事，实际上最大驱动电流又会受制于RG电阻的值。考虑低成本的话，用IR2110驱动即可。3.对于SPWM的H桥，无论如何波形都不会做得很理想的，与MOS，IGBT的特性有关，米勒效应只能减弱，不能消除。波形多少都会有振荡，特别是上升过程，主要是要避免管子关断之后，不要被振荡干扰导致误导通即可。常规做法是关断用有源钳位，或用负压关断。驱动波形拉开观察，看细节，主要看同一臂的一个管子关断后，在另一管开通瞬间，会有一个振荡，主要保证这个振荡电压不要到达管子的开启电压，最好能在3V以下，才能放心带载测试。另外还可以通过串入电流表监测H侨的空载电流，正常情况，空载电流应在几毫安范围。
如果你只是用在110V输出的场合，母线200V左右的话，不建议用600V的管子，耐压太高浪费，选300V-400V的就可以了
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123adg
LV.1
17
2019-05-20 15:20
@FQCAD
如果你只是用在110V输出的场合，母线200V左右的话，不建议用600V的管子，耐压太高浪费，选300V-400V的就可以了

谢谢大哥的指导！

在昨天修改后，已经可以升上一千瓦了！

虽然波型稍微有些变尖，这点我在思考是不是我的输出电感太小，毕竟目前电感只有1.5mH，电容2.2uF

下图是我的输入与输出

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LEFT6666
LV.1
18
2019-08-19 10:29

请问你是直接按照给的参考原理图设计的吗，能否将你的原理图发我一份，llleft@163.com。谢谢！

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