您好, 登录| 注册|
论坛导航
您好, 登录| 注册|
子站:
IGBT      共有29个资源
  • 保护电路设计方法

    上传时间:2018-10-24| 资源大小:709KB| 下载量:12| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了保护电路设计方法。

    标签: 电感 | IGBT |

    立即下载
  • 高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

    上传时间:2018-10-09| 资源大小:2.27MB| 下载量:4| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度,探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积, 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。

    标签: IGBT | MOSFET |

    立即下载
  • 国产大功率IGBT驱动技术研究报告

    上传时间:2018-09-12| 资源大小:766KB| 下载量:14| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文介绍了国产大功率IGBT驱动技术的发展,并介绍了部分具有代表性的国产大功率IGBT驱动产品的技术指标和运用。

    标签: IGBT |

    立即下载
  • MOSFET IGBT驱动集成电路及应用.part4

    上传时间:2018-09-06| 资源大小:4.26MB| 下载量:27| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOSFET IGBT驱动集成电路及应用:电力场效应晶体管的基本特征及对驱动电路的要求,电力场效应晶体管专用栅极驱动集成电路,电力MOSFET集成驱动器应用举例等内容。 本参考文献共分4卷,需全部下载,方可解压。

    标签: IGBT | MOSFET |

    立即下载
  • MOSFET IGBT驱动集成电路及应用.part3

    上传时间:2018-09-06| 资源大小:7.00MB| 下载量:21| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOSFET IGBT驱动集成电路及应用:电力场效应晶体管的基本特征及对驱动电路的要求,电力场效应晶体管专用栅极驱动集成电路,电力MOSFET集成驱动器应用举例等内容。 本参考文献共分4卷,需全部下载,方可解压。

    标签: IGBT | MOSFET |

    立即下载
  • MOSFET IGBT驱动集成电路及应用.part2

    上传时间:2018-09-06| 资源大小:7.00MB| 下载量:21| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOSFET IGBT驱动集成电路及应用:电力场效应晶体管的基本特征及对驱动电路的要求,电力场效应晶体管专用栅极驱动集成电路,电力MOSFET集成驱动器应用举例等内容。 本参考文献共分4卷,需全部下载,方可解压。

    标签: IGBT | MOSFET |

    立即下载
  • MOSFET IGBT驱动集成电路及应用.part1

    上传时间:2018-09-06| 资源大小:7.00MB| 下载量:24| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOSFET IGBT驱动集成电路及应用:电力场效应晶体管的基本特征及对驱动电路的要求,电力场效应晶体管专用栅极驱动集成电路,电力MOSFET集成驱动器应用举例等内容。 本参考文献共分4卷,需全部下载,方可解压。

    标签: IGBT | MOSFET |

    立即下载
  • 基于光电耦合器HCPL316J的对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路研究

    上传时间:2018-06-14| 资源大小:3.70MB| 下载量:38| 上传者:YUHM

    【摘要】本文主要对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路进行研究,从门极驱动电压、门极驱动电阻、驱动电路功率与IGBT的关系以及驱动保护等方面分析了驱动电路的设计。最后设计了以基于光电耦合器HCPL316J的驱动电路,计算了电路的参数。通过驱动实验和短路保护实验,验证了设计的正确性。

    标签: 逆变电源 | IGBT |

    立即下载
  • IGBT的介绍及应用——详细介绍IGBT性能及各种应用

    上传时间:2018-03-22| 资源大小:3.92MB| 下载量:27| 上传者:电源网-MoMo

    【摘要】详细介绍IGBT性能及各种应用

    标签: IGBT |

    立即下载
  • IGBT的工作原理和工作特性

    上传时间:2017-12-25| 资源大小:375KB| 下载量:115| 上传者:电源网-MoMo

    【摘要】IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N一层的空穴(少子),对N一层进行电导调制,减小N一层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。

    标签: 开关电源 | IGBT |

    立即下载
1 2 3 下一页 
datasheet
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
免费技术研讨会
获取一手干货分享

互联网违法不良信息举报

Reporting Internet Illegal and Bad Information
editor@netbroad.com
022-58392381