IR最新节能电源管理解决方案亮相IIC-CHINA

IIC-China2011春季展在全球最具规模的IC市场——深圳召开，2月24日电源网记者团一行四人深入到IIC现场，穿梭在各个展台带给您最深度的报道。国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR携业领先的节能电源管理解决方案参展第十六届国际集成电路研讨会暨展览会（IIC-China 2011）。在本届展会上，IIC的工程师和销售人员在深圳会展中心19号展台上展示IR最新的节能和高功率密度的技术与产品。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“我们很高兴能借此行业盛事之机，与工程师分享我们的节能电源管理解决方案，涵盖IC和分立产品组合到技术平台，更包括能够实现95%的效率、降低噪声和简化机械构造的iMOTION™电机控制平台。”

另外，IR在此次展会上展示适合各种应用的最新解决方案，包括汽车、照明、D类音频和电机控制等应用。所展示的产品和平台包括适合AC-DC电源的最新SmartRectifier™ IC、DirectFET® MOSFET芯片组、SupIRBuck™ 系列集成式稳压器、基准MOSFET和IGBT、适用于变速电机驱动器的iMOTION™ 集成设计平台，以及氮化镓功率器件平台GaNpowIR®。

以下是IR公司的某某经理接受电源网采访，

贵公司扩大包括逻辑电平栅极驱动器件在内的40V至100V汽车专用MOSFET系列，请您简单谈谈其主要特色？

IR宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的 40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 组合。新系列 MOSFET 适合传统内燃机 (ICE) 平台以及微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。

经过优化的新型车用 MOSFET 系列在 55V 电压下可提供低至8 mΩ 的导通电阻（RDS(on)）。此外，逻辑电平 MOSFET 器件简化了栅极驱动需求，同时减少了电路板占用空间和元件数量。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“我们扩充后的包括逻辑电平器件在内的车用MOSFET 系列，为客户在选择符合其设计要求的电压、封装和功能方面提供了更好的选择，而 IR 经过验证的硅技术更为客户提供了保证。”

新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 沟道技术开发。所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1, 000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR 的新款AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。

新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

IR 推出新型DirectFETplus 功率MOSFET 系列，可将DC-DC 开关应用效率提升2%,此款产品的主要特点？

IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技术，可为 12V 输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。

IRF6811 和IRF6894 是新系列DirectFETplus 的首批器件，比上一代器件减少了导通电阻 (RDS (on) ) 和栅极电荷 (Qg) ，使其效率大幅提高2%。此外，这些器件具有超低栅极电阻 (Rg) ，通过把DC-DC 转换器的开关损耗降至最低来进一步提高效率。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新款IRF6811 和IRF6894 芯片组利用IR 的 DirectFET 封装技术，并采用IR 的新一代硅技术来优化关键的 MOSFET 参数，为下一代计算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空间小的最佳解决方案。”

IRF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷，将传导和开关损耗降到最低。IRF6894 还设有集成式单片肖特基二极管，可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET 与上一代器件的占位面积兼容。新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS).