富士通半导体推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM产品-电源网

【电源网】上海，2013年3月25日 –富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出两款新型FRAM产品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器，是富士通半导体提供的最大容量的串口FRAM。这两款产品将于2013年3月起开始提供新品样片。

图1：MB85RS1MT和MB85RS2MT

两款新型产品保证有10万亿次的读写次数，大约是现有芯片的10倍，适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。与容量相同的EEPROM相比，写入时可减少92%的功耗。另外，由于新款FRAM可以把所有系统存储器器件（主要包括EEPROM、SRAM和用于保持数据的电池）所需的技术集成到单一芯片上，因此可大幅降低器件成本，占板面积和功耗。这相应地极大地有助于开发小型和节能设备，使维修更加简易，因此不再需要备用电池。

FRAM具有两种特性：非易失性，即使关闭电源也能保存数据；随机存取，可以快速写入数据。即使发生突然电源故障和停电时，FRAM也可以安全存储正在写入的数据，所以可以在断电前保证立刻保护芯片信息和存储数据。凭借该能力，自从1999年量产后，富士通半导体的FRAM产品一直广泛应用于工业自动化设备、测量设备、银行终端以及医疗设备等。

作为对其FRAM 产品阵容的更新，富士通半导体最近开发了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit)，这两款产品代表了公司迄今为止带有SPI 串口的最高密度的FRAM产品。该系列产品读写次数提高到10万亿次，是富士通现行FRAM产品的10倍，因此可为实时连续数据记录提供更好的支持。

对于包括智能电表和其它测量设备、工业机械以及医疗设备（如助听器）－所有的这些设备都需要带串口的1-2 Mbit 非易失存储器－现在可以使用富士通半导体的新型FRAM产品取代传统的EEPROM。在快速写入方面的改善可以使性能更高，同时可使由于电压突然下降或者停电引起的数据丢失风险降至最低。针对写入时所消耗的电量，新产品比EEPROM少消耗92%的电量，可以延长电池寿命。

展望未来，富士通半导体将继续提供解决方案，帮助客户提高终端产品的性能，促进客户现场设备的维护，并最大程度地降低风险。

图 2：读写次数比较

图 3：功耗比较

图 4：占板面积比较

关于富士通半导体（上海）有限公司

富士通半导体（上海）有限公司是富士通在中国的半导体业务总部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大连、厦门、西安、青岛和武汉等地均设有分公司，负责统筹富士通在中国半导体的销售、市场及现场技术支持服务。

富士通半导体（上海）有限公司的产品包括专用集成电路（ASIC）、单片机（MCU）、专用标准产品（ASSP）/片上系统（SoC）和系统存储芯片，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并应用于广泛领域。在技术支持方面，分布于上海、香港及成都的IC设计中心和解决方案设计中心，通过与客户、设计伙伴、研发资源及其他零部件供应商的沟通、协调，共同开发完整的解决方案，从而形成一个包括中国在内的完整的亚太地区设计、开发及技术支持网络。

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