飞兆半导体的四路MOSFET解决方案提高了系统效率

【电源网】高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质量问题。 同样，热致噪声可能影响系统的图像传感器，也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量，占用电路板空间，让这些设计变得更复杂。 飞兆半导体(纽约证券交易所代码： FCS) 的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装，有助于克服这些严峻的设计挑战。

FDMQ86530L解决方案由四个60V N沟道组成，采用飞兆GreenBridge™技术，改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率，将功耗降低了10倍。 该器件采用热增强、节省空间的4.5 x 5.0 mm MLP 12引脚封装，免去了散热需要，实现了紧凑设计，提高了12和24V AC应用中的功率转换效率。

规格：

· 最大RDS(ON) = 17.5 mΩ(VGS = 10V，ID = 8A)

· 最大RDS(ON) = 23 mΩ(VGS = 6V，ID = 7A)

· 最大RDS(ON) = 25 mΩ(VGS = 4.5V，ID = 6.5A)

封装和报价信息(订购 1,000 个，美元)

按请求提供样品。交货期：收到订单后 8-12 周内

FDMQ86530L产品采用4.5 x 5.0mm MLP 12引脚封装，价格为 1.38美元。

FDMQ86530L产品是飞兆半导体全面的分立式MOSFET产品组合的一部分，再次体现了公司承诺：即提供最具创新的封装技术，以目前最先进的系统实现最小尺寸、最大热性能和最高效率。

飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor;纽约证券交易所代号：FCS) - 全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品，并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。