IDT推出手机基站设备的小功率射频至中频混频器

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司宣布，推出两款面向手机基站设备的小功率、低失真射频(RF)至中频(IF)混频器以扩展其模拟无线基础设施产品组合。新的器件可改善系统三阶互调(IM3)性能并减少功耗，从而实现改进的服务质量(QoS)和4G无线基础设施应用中更小的附件和增强的可靠性。

IDT F1150和F1152是小功率、低失真的双通道1700 – 2200MHz RF至IF混频器，拥有非常好的线性指标(+42 dBm)三阶交调(IP3O)以实现极佳的互调抑制，使其成为4G无线基站中多载波、多模蜂窝系统的理想选择。与标准混频器相比，该混频器减少功耗超过40%，极大减少了热耗散并减轻了射频的散热要求-这对如今高度紧凑设备来说是一项关键因素。此外，器件改善IM3失真超过15dB，可实现更好的信噪比(SNR)，使得客户能够使用更高的前端增益改进性能。

IDT公司通信部总经理兼副总裁Tom Sparkman表示：“我们最新的RF至IF 混频器产品巩固了我们在无线基础设施应用领域领导地位和将我们的产品组合扩展到射频信号链。IDT F1150和F1152拥有小功率和低IM3失真，可满足我们客户正紧密部署的4G基站解决方案的关键需求。我们的客户非常欢迎混频器高性能和全功能的特点，他们已经在使用IDT的高性能产品，包括时钟和计时、RapidIO® 和来自我们完整通信产品组合的其他器件。”

IDT F1150和F1152与低噪声数字控制IF可变增益放大器F1200相得益彰，F1200是IDT不断增加的RF 信号通道产品中推出的产品。这些产品利用 IDT 的模拟专长和丰富的数字经验，以提供可优化客户应用的系统级解决方案。

供货

IDT F1150(高本振注入)和 F1152(低本振注入)已向合格客户提供样品，提供36引脚6x6毫米QNF封装。