富士通半导体推出基于硅衬底的氮化镓功率器件芯片

富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150V。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件，用户可以设计出体积更小，效率更高的电源组件，可广泛的运用于ICT设备、工业设备和汽车电子等领域。

基于硅衬底的氮化镓功率器件芯片

MB51T008A具有许多优点，包括：1)导电阻13 mΩ，总栅极电荷为16 nC，使用相同的击穿电压，实现的品质因数(FOM)大约是基于硅的电源芯片产品的一半;2)使用WLCSP封装，最小的寄生电感和高频率操作;3) 专有的栅极设计，可实现默认关闭状态，可进行常关操作。新产品是数据通信设备、工业产品和汽车电源中使用的DC-DC转换器的高边开关和底边开关的理想选择。此外，由于其支持电源电路中更高的开关频率，电源产品可实现整体尺寸缩小和效率的提高。富士通半导体计划于2014年开始批量生产。

除了提供150V的耐压值产品，富士通半导体还开发了耐压为600V 和30V的产品，从而有助于在更宽广的产品领域提高电源效率。这些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世纪80年代来牵头开发的HEMT (高电子迁移率晶体管)技术。富士通半导体在GaN领域拥有大量的专利技术和IP，可迅速将GaN功率器件产品推向市场。富士通半导体还计划与客户在各个行业建立合作伙伴关系，以进一步拓展业务。

主要规格