LED大功率DC-DC全陶瓷电容boost逆变驱动方案

本参考设计采用MAX16834构建112.5W boost LED驱动器，用于驱动长串LED。这些长串LED被广泛用于路灯和停车场照明。

输入电压：24VDC ±5% (1.49A)

VLED配置：两串并联，每串由19只WLED组成，5Ω电阻用于电流平衡。每串电流为750mA，在75V驱动下提供1.5A的电流。

调光：50μs (最小值)导通脉冲，200:1最高调光比，100Hz调光频率。

图2. LED驱动器布局

概述

本参考设计用于为长串LED提供高压boost逆变电源，长串LED的应用不仅限于路灯和停车场照明。长串LED允许采用高性价比的LED驱动方案，另外，由于各个LED具有相同电流，可以很好地控制亮度变化。本设计采用24V输入，可提供高达75V的LED驱动输出，可驱动1.5A LED灯串(或多串并联)。测量到的输入功率为115.49W，输出功率为111.6W，具有96.6%的效率。

图3. LED电压(交流耦合)和电流纹波

PCB

MAX16834 boost设计的印制电路板(PCB)采用通用的两层板(图1和图3)。有些PCB功能要求为可选项，测试时并没有组装这些电路，原理图(图2)中将其标注为“no-pop”。电路板在IC下方布设接地岛，通过单点连接至功率地，以确保低噪声特性。由于很多路灯生产厂商没有适当焊接设备焊接其它形式的封装，例如TQFN封装，因此本设计采用了TSSOP封装IC。图4给出本设计的材料清单。

拓扑

设计采用工作在200kHz连续模式的boost调节器。图5所示表格给出了MOSFET和电感的RMS电流和峰值电流。连续模式设计能够保持较小的MOSFET电流和电感电流。然而，由于MOSFET (Q1)导通期间电流流过输出二极管(D2)，输出二极管的反向恢复损耗较大，并可能导致更大的关断噪声。从图6电路波形可以看出，占空比为69%时，MOSFET的导通时间大约为3.4μs，关断时间大约为1.5μs。一旦MOSFET关断，漏极电压将上升到输出电压与肖特基二极管压降之和。

MOSFET驱动

由于采用连续模式设计，MOSFET和电感峰值电流低于工作在非连续模式下的数值。但是，由于在导通和关断期间都有电流流过MOSFET，MOSFET在两次转换期间存在较大的开关损耗。MAX16834以足够强的驱动能力使MOSFET在5ns内完全导通，在10ns内完全关断(图8和图9)，保持较低的温升。如果设计中存在EMI问题，则改变MOSFET栅极的串联电阻R5，以调整开关时间。如果这一变化引起功耗过大，可以增加另一个MOSFET Q2，与Q1并联，以降低温升。

输出电容

驱动器的输入和输出电容可以采用陶瓷电容。陶瓷电容具有更小尺寸，工作更可靠，但容值有限，尤其是在设计中要求200V的额定电压。图5中，设计表格显示驱动器需要一个5.4μF电容以满足输出纹波电压的要求;为降低成本和空间，本电路采用4个1.2μF电容(共4.8μF)。输出电压开关纹波为2.88V (图10和图11)，纹波电流为182mA，是输出电流的12%，略大于10%目标参数，但仍然能够满足要求。