恩智浦Gen8+LDMOS RF功率晶体管推动TD-LTE变革

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克：NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。随着中国开始铺设全球最大4G网络，Gen8+的推出将巩固恩智浦TD-LTE产品组合(目前最完善的TD-LTE LDMOS产品组合)的地位，并且显著提升性能、灵活性和经济性。BLC8G27LS-160AV是即将发布的第一款Gen8+器件，这全球最小也最经济的解决方案，用于有源天线户外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。该设备可同时支持多达5个TD-LTE载波，并提供覆盖全波段(2.5至2.7 GHz)的高效率。

Gen8+产品组合的一项突破性功能是采用了空腔塑料(ACP)封装。相比陶瓷封装，ACP更加经济、灵活，这意味着各款新产品将能更快和客户见面。全新ACP封装还允许使用改进型无源器件，通过降低功耗并增加增益和效率来提升性能。Gen8+还加入了大量其他封装选项，包括QFN、OMP和陶瓷封装。

Gen8+产品组合最初设计用于频率范围在2300-2700MHz之间的基站应用。作为现有恩智浦LDMOS产品系列的扩展，Gen8+增加了各个波段功耗水平的范围，从5瓦到240瓦不等。Gen8+拥有出色的功率和较小尺寸，这意味着它还能进一步节省成本。

恩智浦基站功率放大器产品市场总监Christophe Cugge表示："该产品组合针对支持TD-LTE网络的无线基站、Gen8+的发布以及即将在中国铺设的全球最大4G网络进行了优化。我们提供最完善的此类RF功率产品，重点关注于让客户能够以最低成本提供最佳品质的服务。Gen8+ LDMOS技术运用恩智浦在RF功率产品领域的深厚积淀，以显著的低成本提供前所未有的高性能、低功耗和更高效率，发挥出竞争优势，我们也计划近期将其拓展到在所有其它制式基站应用中去。"