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基于MOSFET与变压器原边串联的RCD缓冲电路选择

2013-08-28 17:12 来源:电源网 编辑:兔子

对于MOSFET,工作时候与变压器原边串联,由于变压器漏感和MOSFET较大的开通电容的影响,使得其关断时候会承受一个很高的电压尖峰。

为了减小这个尖峰,我们使用RCD缓冲电路。如图:

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RCD电路有很多类型:纯粹的RCD,带回馈电感的RCD,带回馈变压器的RCD。后边两种都是为了将消耗在R上的能量转化为电磁能量回馈电网减小损耗。

RCD工作时候,由于钎位关系将开关管两端电压限制在2Vdc,C使得开关管集电极或者漏级电压上升速度减缓。之后C通过电阻R放电,或者将能量转移到电感或变压器中最终回馈电网。

C的取值需要足够的大,使得开关管电压上升速度足够缓慢,保证开关管不受到冲击。而C因为损耗的原因也不能太大,而R的大小没有特别要求,R越小,C的放电速度越快。只需要在Ton的时间内保证C在下次开关管关断时候放完电荷就可以了。

标签: MOSFET RCD

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