大功率多信道通信系统中无源互调的产生机理设计

1.引言

随着科技的不断地发展和进步，移动通信技术也在飞速发展，从早期的1G(FirstGeneration-第一代移动通信技术)，到前些年的2G(Second Generation-第二代移动通信技术)，再到最近几年火热的3G，以及正在布点试网的4G，移动通信系统在不断地更新换代，移动通信基站也在不断地增加扩容。从2012年中国工业和信息化部发布的通信业运行报告中移动通信用户总数首次突破10亿的数据上也可见一斑。随着移动通信技术飞速发展和移动通信用户的不断增加，我们的通信系统也要持续升级以满足增加的数据传输要求，然而这些飞速的发展和升级并不是完全是积极向上的，也会带来一系列的问题出现。比如无源互调干扰，各运营商不同网络间的干扰，同邻频干扰以及直放站、干放有源干扰等。

而其中最为突出的就是无源互调干扰问题。

在大功率、多信道通信系统中，存在各种各样无源器件(天线、射频馈线、连接件、避雷器、滤波器、双工器、定向耦合器、射频终端负载及衰减器等)，这些无源器件的非线性会产生相对于工作频率的更高次谐波，而这些谐波与工作频率混合在一起会产生一组新的频率，其最终结果就是在空中产生一组无用的频谱从而影响通信系统的正常的通信。这就是大功率多通道通信系统中无源互调干扰问题。

无源互调指标是衡量移动通信质量的一个重要指标，但过去由于技术不成熟、没有统一的测试标准或者是一套测试系统太过昂贵等因素导致我们对其重视不够。

但随着移动通信系统中更大功率发射机的应用和接收机灵敏度的不断提高，无源互调产生的系统干扰日益严重，引起越来越多的专家和研究学者对无源互调干扰的重视。而且目前中国各移动运营商也已经将无源互调标准纳入集采要求。这些都迫使我们去对无源互调进行研究分析，对互调干扰进行合理地测量并找到有效降低干扰的措施。

2.PIM的基本理论

无源互调(Passive Inter modu-lation,简称PIM)，是由无源射频器件，如天线、射频馈线、连接件、避雷器、滤波器、双工器、定向耦合器、射频终端负载及衰减器等器件的非线性产生的。当两个或两个以上的信号在具有非线性无源器件中混合时，无源器件的非线性会产生相对于工作频率的更高次谐波，而这些谐波与工作频率混合在一起会产生一组新的频率，这组新的的频率就是PIM产物。当这些PIM产物落在系统的接收频道内，接收机的灵敏度会降低，从而会导致通话质量或者系统的载波干扰比降低，系统的容量会减少，同时在数字信号传输过程中提高了误码率等，无源互调在日常通信中最常见的表现是在通信过程中遇到的回音、拨不通、在打电话中听到第三方声音等。

无源器件都存在非线性，仅仅在功率不大时可以考虑无源器件为线性。一般的移动通信系统中往往包含多个频率信号，为了分析PIM产物的产生和PIM的基本理论，不失一般性，我们考虑最简单的情况进行分析。即系统中有两路信号f1和f2同时作用于非线性无源器件，则有 :

式中m,n均为整数，可以为正整数、负整数和不同时为零，(|m|+|n|)定义为PIM产物的阶数。当m±n为奇数时，新产生的频率会落到或者靠近接收通道，可能会影响系统的灵敏度。通常把2f1-f2或者2f2-f1两种频率组合产生的互调产物称为三阶互调，3f1-2f2或者3f2-2f11两种频率组合产生的互调产物称为五阶互调，以此类推。一般情况下随着阶数的增加互调电平呈下降趋势，如图1所示，三阶、五阶、七阶干扰电平最大。

当两个激励信号通过无源器件时，由于器件的非线性特性，产生的新的谐波和不同阶数的互调产物，这些信号共同组成了Vout的频谱。

当两个以上的信号通过无源器件时，PIM产物数目会很快增加，在多频环境下，PIM产物的数目随传输信道数目和PIM产物阶数的增加而急剧增加。例如，三阶和五阶PIM产物数目与传输信道数目的关系如图2所示。

3.PIM的产生机理

移动通信系统中，PIM产物来源于系统中无源器件的非线性。经过多方实验认证表明，无源器件所选用材料的品质、镀层的材料和厚度、接触材料中是否含异金属、材料是否具有磁滞特性、各接触面压力、焊接点圆润不虚焊、连接器中是否材质杂质或灰尘等等都会产生PIM干扰。如果按照表现类型分类的话，大致可以分为两大类：由接触引起的PIM干扰；由器件材料引起的PIM干扰。我们把他们定义为：接触非线性和材料非线性。前者表示任何具有非线性的电流和电压行为的金属接触，如法兰盘、调谐螺杆、紧固螺钉结合处的松动、氧化和腐蚀等；后者指具有固有非线性电特性的材料，如铁磁材料、碳纤维和铁、钴、镍合金等。

3.1 接触非线性

由于接触非线性引起的PIM干扰具体包括以下几个方面：

1)低劣的制造工艺引起松动连接、金属裂缝和连接处的氧化作用产生的PIM产物;

2)在金属接触处穿越氧化薄层的电子隧道效应和半导体行为产生的PIM产物;

3)由结合面上的点接触引起的机械效应;

4)点电子接触引起的电子效应，点电子接触和局部发电流引起的热响应;

5 )强直流引起金属导体中离子电迁移;

6)接触面的相对运动、振动和磨损;

7)不同热膨胀系数器件接触引起热循环;

8)金属接触的松动和滑动以及氧化层或污染物的形成。

3.2 材料非线性

由于材料非线性引起的PIM干扰具体包括以下几个方面：

1)电介质薄层的隧道贯穿：电子通过厚度小于10nm的电介质薄层直接由一个导体到另一个导体的隧道贯穿，如由氧化层分离的金属之间的电子隧道效应;

2)铁磁效应：铁磁材料(如铁、钴、镍)具有很大的磁导率，并随磁场非线性变化，显示出磁滞特性，铁磁材料能引起很强的PIM产物;

3)接触电容：由接触表面薄层和污染层所引起的电容;

4)电致伸缩：电场引起线性变化，发生于纯净的非线性介质中的电致伸缩对同轴电缆中产生的PIM产物有贡献;

5)磁阻：磁场引起金属导体电阻的变化;

6)电滞效应：材料电偶极子有自排列趋势;

7)磁致伸缩：磁场引起线性变化，产生于铁磁材料内;

8)微放电：真空环境下由强电场产生离子气体引起的二次电子倍增放点，产生于微狭缝之间和金属内的砂眼中;

9)电介质击穿：强电场引起的非破坏性固态电介质击穿，可能的机理为热击穿和雪崩;

10)空气充电：充电载流子在接触点进入绝缘体或半导体内，这个效应产生于非均匀内部电场中。在半导体中，由于同时存在电子和空穴，因而可产生很强的非线性电流电压关系;

11)离子导电：由离子(如空穴)引起的导电线性，强电场时为非线性效应。在RF波段和微波频段，直流分量大时，次效应才显示出来;

12)热离子发射效应：由于热能的统计分布引起电子穿过势垒的效应，可在导体氧化膜上产生;

13)场发射：电子穿过势垒的量子力学隧道效应。在强电场情况下，电流密度随场强非线性变化。这个效应对温度的依赖性没有热离子发射效应强，而且发生于低温情况;

14)内部热离子发射效应：类似于热离子发射效应，起源于绝缘体或半导体材料内部填充的陷阱;

15)内部发射：电荷从束缚态到导带的量子力学隧道效应。强电场情况下次效应比热离子发射效应更强。