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Linear推出新型9V至72V理想二极管桥控制器

2014-03-07 22:53 来源:电源网 编辑:蒲公英

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出汽车(H 级) 和高可靠性军用(MP级) 版本LT4320,该器件是一款理想二极管桥控制器,适用于9V至72V 系统。LT4320 用低损耗N沟道MOSFET 桥取代了全波二极管桥整流器,以将功耗和电压损耗降低10倍或更多。因电源效率提高而不再需要笨重的散热器,从而减小了电源尺寸。由于消除了在二极管桥固有的两个二极管压降,所以提供了额外的裕度,而使低压应用可从中受益。与其他传统电桥相比,MOSFET 桥可实现非常节省空间和功耗的整流器设计。H 级和MP级版本分别保证工作在 −40ºC 至125ºC 和−55ºC 至125ºC 温度范围。LT4320 的开关控制平滑地接通两个合适的MOSFET,同时保持另外两个断接以防止反向电流。一个集成的充电泵无需外部电容器,就能够为导通电阻很低的外部N 沟道MOSFET 提供栅极驱动。MOSFET 的选择可在功率方面提供了最大的灵活性,范围从1W 直到数千瓦。

LT4320有两种版本可供选择:LT4320为DC至60Hz电压整流而设计;而LT4320-1通过加倍顶端源漏极调节电压,为DC至600Hz进行了优化。H 级版本采用8引脚DFN(3mm x 3mm) 和PDIP 封装、以及12 引线MSOP 封装,并具备增强的高压引脚间距,而MP 级版本仅采用 12 引线 MSOP 封装。H 级和 MP 级版本的千片批购价分别为3.45 美元和8.85 美元。

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照片说明:额定工作温度为 −55oC 至 125oC 的有源桥整流器降低了功率和压降

性能概要:LT4320H/MP

· 低损耗方案以取代二极管桥整流器

· 最大限度地减少热量以减轻热设计负担

· 最大限度地提高电源效率和可用电压

· 在9V至72V、DC至600Hz范围工作

· 控制四个N 沟道MOSFET

· 1.5mA 静态电流

· 保证工作在 −40°C 至 +125°C 结温范围 (H 级)

· 保证工作在 −55°C 至 +125°C 结温范围 (MP 级)

· 8 引脚 DFN (3mm x 3mm)、8 引线 PDIP 和 12 引线 MSOP 封装

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