安森美推出针对接口低电容、低钳位电压ESD保护器件

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出5款新的静电放电(ESD)抑制器，用于当今最先进的接口。正待批专利的设计技术及工艺技术使这些器件能够提供业界最低的电容及ESD钳位电压，适合用于极高数据率接口及小几何尺寸芯片组。

ESD8000瞬态电压抑制器(TVS)系列达到0.35皮法拉(pF)的最大电容规格，16安培(A)电流时的ESD钳位电压低至8 V，符合IEC61000-4-2 Level 4之8千伏(kV)接触放电规范。极低电容可保持数据率高于10 Gbps时的数据线路信号完整性，几乎消除任何数据线降解，支持新兴的接口，如USB 3.0、USB 3.1、HDMI 2.0和Thunderbolt。随着芯片组几何尺寸朝低于20纳米(nm)演进，它们对瞬态电压因而更敏感，ESD8000系列的低钳位电压增强了系统级ESD测试保护性能。

安森美半导体保护方案分部副总裁兼总经理Gary Straker说：“这些新TVS产品采用了创新技术，突破ESD钳位电压的业界界限，提供超低电容。因此，它们可以保护当今基于最新工艺技术的高速接口及集成电路，免其受ESD冲击损伤。”

4线ESD8004和ESD8104采用业界标准占位面积为2.5 x 1 mm 的UDFN-10封装，可以保护两对电压敏感型高速数据线路，使它们适合最新串行接口标准，如USB 3.0、HDMI 2.0及eSATA。穿越型封装令印制电路板(PCB)布线轻易，以及实现走线长度匹配，维持高速差分线路之间所需的一致性阻抗。

ESD8008在单个封装中集成了8条线路或4个差分对，用于高清多媒体接口(HDMI)、DisplayPort及V-by-One HS接口。