英飞凌扩展IGBT产品新增650V RC-H5器件

英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的 650V器件，再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越，而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选，也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。

新推出的分立式RC-H5 650V电源半导体与所有的RC-H5产品一样，比前一代产品更加高效节能，可进一步降低30%的开关损耗，使设计人员将能够使用的IGBT工作频率提高到40KHz。总而言之，这款全新设计的分立式电源半导体节能性能更出色，可使系统整体减少5%的能源消耗。

基于RC-H5 650V的系统不仅节能性能出色，而且由于阻断电压增大，使系统设计更具优势，从而大幅提升系统可靠性。650V逆导系列器件品质非凡，既有适合快速开关应用的器件，又有符合软开关设计的器件，不仅在使用上更具灵活性，还能减少系统整体受到的限制。这款新器件具有更好的EMI特性，所需滤波电路更少，对各类的开关设计都有极大的好处。它还可优化热性能，在175°C的最高结温(芯片正常工作的环境温度)下进行无故障操作。

英飞凌科技股份有限公司IGBT分立器件营销总监Roland Stele指出：“在所有家用电器中，电磁炉具有极大潜力，可为人们节省更多能源消耗，为保护地球环境做出贡献。凭借新推出的分立式RC-H5 650V器件，英飞凌将为家用电器提供更丰富的产品，促使我们的客户研发出更可靠更节能的系统。”