宜普电源推出高性能氮化镓功率晶体管

氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。

宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。

全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板

· 更低导通电阻(RDS(on))

由于全新氮化镓场效应晶体管系列可降低一半导通电阻，因此可支持大电流、高功率密度应用。

· 进一步改善品质因数(FOM)

与前代器件相比，由于最新一代氮化镓场效应晶体管把硬开关FOM降低一半，因此在高频功率转换应用可进一步提高开关性能。

· 扩展电压范围

由于可受惠于采用氮化镓场效应晶体管的应用扩展至30 V的应用，因此可支持更多应用包括更高功率的直流-直流转换器、负载点转换器以及隔离型电源供电、电脑及伺服器内的同步整流器。

· 更优越的热性能

由于全新第四代氮化镓场效应晶体管产品系列在温度方面具增强了的性能并配备更优越的晶片版图，因此改善了其热性能及电学性能，使得氮化镓器件在任何条件下可在更高功率工作。

展示结果表明氮化镓器件可实现更高电源转换效率

为了展示这些全新氮化镓场效应晶体管的更高性能，我们构置了两个降压转换器。在一个12 V转1.2 V 的直流-直流负载点转换器，EPC9018开发板 采用了30V的EPC2023 场效应晶体管(用作同步整流器)及40 V 的EPC2015(用作控制开关)。

这个12 V转1.2 V 、40 A的负载点转换器工作在1 MHz的开关频率下，与先进硅MOSFET模块相比，采用最新一代氮化镓功率晶体管的转换器可实现超过91.5%的效率并展示了氮化镓器件在电路中的优越性能。

EPC9019开发板是一个48 V转12 V 的转换器并采用了80 V的 EPC2021 氮化镓场效应晶体管 (用作同步整流器开关)及100 V 的EPC2001 氮化镓场效应晶体管(用作控制开关)。这个48 V转12 V 、40 A非隔离型直流-直流中间总线转换器工作在300 KHz的开关频率，与采用先进硅MOSFET器件的等效转换器相比，采用最新一代氮化镓功率晶体管的转换器可实现超过98%的效率。

开发板

为了简化对全新高性能氮化镓场效应晶体管进行评估，我们推出开发板以支持客户在电路中对每一种全新产品易于进行评估(请参看以上列表)。这些开发板在单板上已包含所有重要元件并易于与任何目前的转换器连接。

EPC9014 、EPC9031 至EPC9034的所有开发板都是半桥配置并带板载栅极驱动器及采用氮化镓场效应晶体管。　所有开发板的尺寸为2英寸 x 1.5英寸，含两个氮化镓场效应晶体管、使用德州仪器公司的栅极驱动器(LM5113)、电源及旁路电容。　每一块板已配备所有重要元件及版图，可实现最优开关性能。

我们也提供EPC9018 及EPC9019开发板，使得工程师易于在电路中对氮化镓场效应晶体管的性能进行评估。