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东芝推出40V电压功率MOSFET“U-MOSIX-H”

2014-12-02 15:47 来源:电源网 编辑:铃铛

东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列,新系列减少了76%的导通电阻,实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外,它还减少了Qoss[2]的增加,从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。

注:

· [1]截至2014年11月4日。东芝调查。

· [2]Qoss:输出电荷。

主要特性

· 业界顶级的低导通电阻:0.85mΩ(最大值)

· 业界顶级的低RDS(ON)・Qoss:60mΩ・nC

应用

适用于服务器和电信基站的高效开关电源

主要规格

QQ截图20141202154551

标签: 东芝 MOSFET

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