ROHM的工业设备用DC/DC转换IC

例如，输入24V输出12V时，高端开关ON的时间和低端开关ON的时间均为50%。

输入24V输出5V时，高端开关ON的时间为20.8%，低端开关ON的时间为79.2%，低端开关的损耗处于主导地位。

假设低端开关流过1A的电流，如果是非同步整流方式，低端开关的损耗为Pd=VF×I=0.5V×1A=0.5W。而如果是同步整流方式则为Pd=RON×I2=0.14Ω×1A2=0.14W，与非同步整流方式相比，发热量仅为1/3.6。

由此可见，在类似24V电源系统输出5V等压降比大的情况下，同步整流方式的损耗更小，发热更低，更有利于小型化。

3. 通过大电流低损耗工艺减少发热量

BD9E300EFJ-LB采用最尖端的0.35μm的 BiCDMOS制造工艺，内置开关由Nch-DMOS FET组成。一般产品存在高耐压、低导通阻抗和低栅极容量之间的矛盾关系，而本产品实现了耐压40V、输出电流2.5A、170mΩ低导通阻抗及可在1MHz工作的低栅极容量。因此，即使进行高频开关工作，发热量也很低。

另外，封装的背面使用散热焊盘(裸露焊盘)的形状，使IC芯片产生的热量也可有效地传到PCB板上，因此，即使小型封装也无需担心发热问题，客户可安心使用。

4. 耐压达40V的省电、省空间型电源IC系列

ROHM的BD9E系列是替代一直以来在工业设备中广为应用的非同步整流(二极管整流)方式电源的新一代电源解决方案。

BD9E300EFJ-LB / BD9E301EFJ-LB及BD9E100FJ-LB / BD9E101FJ-LB是输入耐压达40V的1ch同步整流降压型DC/DC转换器，内置开关用功率晶体管。功率晶体管的高端和低端均采用Nch-MOSFET，效率更高。在该结构中，还内置有生成高端Nch-MOSFET的栅极驱动的自举所需的二极管。

这四种产品的主要区别在于，BD9E300 / BD9E301的输出电流为2.5A，BD9E100 / BD9E101为1.0A，而支持更大功率的BD9E300 / BD9E301，作为热对策，采用导通阻抗更低的MOSFET和背面露出散热焊盘的热阻较小的封装形式。

另外，BD9E300和BD9E100是以开关频率1MHz进行设计的。而BD9E301和BD9E101则以570kHz进行设计，这是因为在压降比高的情况下，如果开关频率高，则开关损耗増加，发热量超标，无法维持最小导通时间。ROHM的解决方案比起尺寸更重视效率设计(开关频率低则开关损耗降低)，从而实现可根据客户使用条件的选择最佳开关频率。

5. 总结

在所有领域节能意识高涨的大背景下，大功率工业设备类的应用中，节能型半导体、可支持大功率的功率元器件和电源IC的应用日益广泛。而且，应用于大功率领域时，要求输入电压耐压性能更好，以确保产品即使受到雷电等导致的突发浪涌电压也不会损坏。

ROHM为满足这些需求，现在正在开发耐压更高的IC，今后也会继续扩充DC/DC转换器系列产品，不断完善丰富多彩的产品阵容，为多样化市场需求贡献力量。