加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS,CA)– 2015 年 7 月 7 日 – 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出LTPoE++™、PoE+ 和PoE兼容受电设备(PD)接口控制器LT4276,该器件面向需要2W至90W功率的应用。LT4276集成了一个PD控制器和一个隔离式开关稳压器控制器,能够在辅助电源的支持下以正激和反激式拓扑实现同步工作。这种集成通过减少组件数量和所占用的电路板面积,简化了前端PD设计,从而允许 LT4276A(LTPoE++)、LT4276B(PoE+)和 LT4276C(PoE)仅用一个IC高效地为PD负载供电。
通过将功率预算扩展至 4 个新的功率级(38.7W、52.7W、70W和90W),凌力尔特的LTPoE++标准扩展了对如今那类功率非常高的应用之支持,例如微微蜂窝基站、标牌和室外安防摄像机。与集成功率 MOSFET 的传统PD控制器不同,LT4276控制一个外部MOSFET,以显著地降低PD产生的总体热量并最大限度提高电源效率,这在较高功率级时尤其重要。这种新方法允许用户按照应用的具体热量及效率要求调整 MOSFET,从而允许在必要时使用RDS(ON)低至30mΩ的MOSFET。100V额定输入电压意味着,LT4276很容易承受最常见的以太网电压浪涌而不被损坏,并针对这种浪涌保护PD。
LT4276有工业和扩展温度级版本,分别支持–40°C至85°C和–40°C至125°C工作温度范围,采用符合RoHS标准的小型28引线4mmx5mmQFN封装。LT4276 的千片批购价为每片 2.25 美元,已开始批量供货。LT4276提供了从凌力尔特现有 PD 产品升级的途径,包括LT4275 LTPoE++ PD控制器,LT4276 还可无缝地连接至任何凌力尔特最新的PSE控制器,包括单端口LTC4274、4端口LTC4266、8端口 LTC4290 / LTC4271芯片组和12 端口LTC4270 / LTC4271芯片组。LT4276 还可以与 LT4321 理想二极管桥式控制器一起使用,以最大限度提高可用功率,并减少在 PD 产生的热量。
性能概要:LT4276
· 具正激 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af/at 和 LTPoE++ 90W 受电设备控制器
· LT4276A 支持以下所有标准:
LTPoE++ 38.7W、52.7W、70W 和 90W
符合 IEEE 802.3at(25.5W)规范
符合 IEEE 802.3af(高达 13W)规范
· LT4276B 符合 IEEE 802.3at/af 规范
· LT4276C 符合 IEEE 802.3af 规范
· 出色的浪涌保护(100V 绝对最大值)
· 宽结温范围(–40°C 至 125°C)
· 低至 9V 的辅助电源支持
· 反激式操作无需光隔离器
· 外部热插拔(Hot Swap™) N 沟道 MOSFET 用于实现最低功耗和最高的系统效率
· 利用 LT4321 理想二极管桥可实现 >94% 的端到端效率
· 采用 28 引线4mmx5mmQFN 封装
本文给出的美国报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。
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