中微介质刻蚀设备用于先进3D VNAND闪存制造生产

现如今，人们对移动存储设备的容量要求越来越高，存储容量的上限被不断刷新，大数据、社交媒体的应用让移动存储的应用越来越广泛，与此同时传统的2D NAND工艺已无法满足不断升级的需求。根据美通社报道，中微半导体设备有限公司（简称“中微”）宣布Primo SSC AD-RIE（中微单反应台等离子体刻蚀设备）已交付韩国领先的存储器制造商。

Primo SSC AD-RIE是中微公司目前最先进的介质刻蚀设备，可用于1X纳米关键刻蚀工艺芯片加工。在此之前，中微的Primo SSC AD-RIE已在南韩的16纳米最关键的刻蚀步骤上实现大批量生产。这台交付的设备将在客户最先进工艺的3D VNAND试生产线上投入运行。

3D VNAND 代表了下一代前沿工艺，中微的客户正是技术进步的领跑者。像存储故障、光刻图案技术的局限性等问题使在2D NAND工艺层面很难继续向下一代工艺节点过渡，3D VNAND则能解决这一难题。3D VNAND带来的好处还包括提高存储容量和读取速度，提升功率效能和可靠性，并降低生产成本。

“认识到3D VNAND闪存技术是存储工艺的未来，我们在研发上投入了大量的人力和物力，与客户紧密合作，开发用于这种高端制程工艺所必需的刻蚀技术。”中微副总裁兼存储及逻辑产品关键客户大区总经理KI Yoon说道，“能够在这家领先客户的3D VNAND试生产线上占有一席之地是对我们长期努力的肯定。另外，在这个只有少数一线刻蚀设备供应商高度竞争的领域，我们相信，我们的工艺质量和面对严峻技术挑战的快速反应能力使我们赢得了订单。我们很高兴也很自豪，能够为这一重要客户开发这项工艺。”

Primo SSC AD-RIE 是采用高抽速，低压，高能脉冲等离子体的手段为高深宽比刻蚀而开发的产品。这是中微Primo刻蚀产品家族中的最新一代产品。像中微其他所有刻蚀设备一样，Primo SSC AD-RIE具备先进的技术水平、超高的生产效率和较低的生产成本。

中微高管将参加下周（7月14日至16日）在美国旧金山举办的美国半导体设备和材料展览会SEMICON West。一年一度的SEMICON West展会是全球半导体设备行业精英的重要盛会。