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台积电计划2018年生产EUV紫外光刻5nm制程

2015-07-27 09:22 来源:电源网综合 编辑:铃铛

一直以来,台积电似乎十分热衷于EUV紫外光刻与10nm制程芯片技术讨论。但也仅仅限于谈论而已,因为目前的技术水平还无法实现这种扫描光刻技术,至少要再等待1-2年才能看到利用这种技术制造的芯片实物。但是台积电肯定不会将目光一直放在10nm上,其真正感兴趣的恐怕是5nm制程领域。

超紫外线光刻技术的扫描光刻设备配备了带为13.5nm波长的激光,在基板进行“画”芯片的过程中拥有非常精细的特点,能解决目前正在使用的光刻工具许多具备挑战性的技术难关,特别是EUV能进行多模式刻画能减少时间周期,有助于提升工艺制作的芯片产量。

按照计划,台积电将在未来的两到三年内将EUV扫描光刻技术应用在7nm领域,荷兰ASML正在与台积电和其他芯片制造商准备全新的EUV扫描光刻设备。目前台积电已经确定在2018年大面积批量生产7nm制程芯片,EUV的应用可能在2018-2019开始试生产使用在5nm制程芯片。

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