比DRAN快十倍 英特尔联手美光推新记忆晶体

随着电子产品的不断升级，其所需的记忆体晶片容量也越来越大。根据消息，英特尔与美光近日宣布共同推出了一种新的记忆体类别产品，其速度能够达到非挥发性记忆体的一千倍，密度上则是普通DRAM的十倍之多。

但英特尔与美光并没有透露更多细节，3DXPoint记忆体到底是什么其实不太清楚，根据EETimes编辑PeterClarke的报导，英特尔与美光对于该记忆体的材料结构或开关机制细节透露得很少，仅表示其开关机制是基于块状材料的电阻变化，而两家公司为3DXPoint记忆体“发明了独特的复合材料”。英特尔与美光提供的新闻资料，花比较多篇幅谈到连网装置数量的爆炸，以及各种数位服务产生大量的新资料，为了要让那些资料发挥用途，它们必须要能快速地储存并进行分析。

媒体总在报道资料量越来越多，而有变化的是那些资料会储存在哪里、将如何储存；我们对SAN、NAS的讨论，已经被传统硬碟机vs.固态硬碟（SSD）的话题取代，以及将有多少资料会飞上“云端”。美光与英特尔也谈到了3DXPoint记忆体能藉由快速存取大量资料集，减少处理器在长程储存时接触资料所需时间；此外还有电脑玩家能因此享受到更短的下载时间。但这些都不是新的概念。

当然，半导体产业界的讯息总是会有某种程度的夸大──例如现在每款SSD产品发表，都是强调每日可处理多少读写次数──英特尔与美光的联合声明，看起来就很像是智慧型手机那种消费性产品的新闻稿，很强调那些哗众取宠的数字，却对新记忆体技术原理细节着墨不多，但后者才是记忆体产业界人士们真正想知道的。

英特尔与美光最终还是不愿意透露3DXPoint这种记忆体技术的本质，因此也引来许多猜测；它有可能是内置了特选的二极体、以实现高密度元件结构的电阻式记忆体（ReRAM）吗？EETimes的评论家们已经试图从有限的已发表资料中来分析…也许它是相变化记忆体（PCM）的变形？

市场研究机构ObjectiveAnalysis首席分析师JimHandy也在英特尔与美光新记忆体发表会的现场，并询问两家公司的代表，究竟3DXPoint最接近哪种记忆体？但他得到的回答是，目前市面上没有任何一种技术像3DXPoint那么成熟；“他们还是没有揭开神秘面纱；”Handy表示，英特尔与三星就是坚持3DXPoint不像任何一种过往技术：“根据他们提供的有限资料，我们也只好照着他们的话说。” 就算它非常神秘，Handy表示3DXpoint记忆体仍值得注意，但恐怕没有达到会让人从半夜惊醒的“突破”；各种替代性记忆体技术往往是希望能取代DRAM或NAND快闪记忆体，不过英特尔与美光却表示，他们的新记忆体有自己的定位，而且不会让美光的3DNAND产品蓝图有变化。Handy认为：“它在记忆体阶层架构（memoryhierarchy）中一定有个位置。”

那如果3DXpoint实际上是块状开关（bulkswitching）ReRAM、或是PCM的变种呢？以现有技术创造一种新使用途径，其创新性就跟发明全新的技术是一样的，而且如果能听到ReRAM或PCM是如何被重新设计才变身成英特尔与美光的3DXpoint，会比听到他们是用了什么材料“秘方”或新制程技术来得更有趣。

目前在英特尔与美光公布更多细节之前我们无法得知与该项新记忆体的更多报道。除非英特尔与美光能够透露更多细节或者有新的记忆体产皮上市发布，关于此记忆体的更多消息我们只能拭目以待。