你的可控硅整流器需要具备这些保护措施

可控硅整流器作为一种重要的元件，在很多电路系统中都是不可缺少的组成部分，而较大容量的可控硅元件能够保障其安全正常运行。然而，为了使可控硅整流器可靠的工作，还必须加上各种保护，这样才能有效的防止雷击、元件损坏、桥臂过热等问题。本文在这里总结了几种必备的可控硅保护措施，与大家一起分享。

晶闸管关断过电压保护

该种可控硅保护措施，能够为可控硅整流器提供基础的安全保障。配备有晶闸管关断过电压保护的整流器一旦出现故障，可以防止晶闸管被过电压击穿。当整流器发生故障时，晶闸管从导通到阻断，线路电感将会释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间载流子充满元件内部，在关断过程中管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失。这时反向电流减小即diG/dt极大，产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致可控硅反向击穿，其数值可达工作电压的5—6倍。因此，在晶闸管两端并接阻容吸收电路是十分有必要的。

交流侧过电压保护

在可控硅整流器的保护措施中，交流侧过电压保护措施也是必须具备的重要安全保障之一。由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，此时便会产生操作过电压。高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压，很容易对可控硅造成损伤。设置交流侧过电压保护其实并不难操作，工程师仅需在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，就可以有效的减小这种过电压。

直流侧过电压保护

在可控硅整流器的设计过程中，直流侧过电压保护措施也是必不可少的。因为当负载断开时或快熔断时，储存在变压器中的磁场能量会产生过电压，显然在交流侧阻容吸收保护电路可以抑制这种过电压，但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大，但还不能完全消除。因此，人工设置可控硅保护措施就显得尤为重要。我们可以采用压敏吸收进行保护。