这些保护措施是可控硅整流器必须具备的

可控硅整流器在工作时的可靠性和持续稳定性，离不开各项保护措施的有效设置。尽管可控硅本身在选择时就已准备了很大的电流电压裕量，然而为了使它的工作稳定性更加出色，工程师在使用这一元件进行电路设计时，还必须为其加上各种保护。在今天的文章中，我们将会就可控硅整流器的保护措施，进行简要介绍。

晶闸管关断过电压保护

在可控硅整流器的正常工作过程中，晶闸管关断过电压保护措施的设置，是保证整流器安全运行的重要保障。由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在可控硅的关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小，这也就意味着diG/dt极大，由此所产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压。数值可达工作电压的5到6倍。保护措施：在晶闸管两端并接阻容吸收电路。

交流侧过电压保护

除了晶闸管关断过电压保护措施之外，可控硅整流器的交流侧过电压保护也同样是必不可少的。在电路系统的设计过程中，由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，因此会产生操作过电压。高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压，而这种瞬时过电压对整流器的危害是相当大的。想要对瞬时过电压进行控制，并保障可控硅整流器的安全工作，工程师可以选择在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，这种设置能够显著减小这种过电压。

直流侧过电压保护

可控硅整流器的直流侧过电压保护措施，也同样是非常重要的。当负载断开时或快熔断时，储存在变压器中的磁场能量会产生过电压，显然在交流侧阻容吸收保护电路可以抑制这种过电压，但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大，还不能完全消除。想要对直流侧过电压进行抑制，目前工程师们常用的方法是使用压敏吸收进行保护。除此之外，整流器的过电流保护也同样是需要工程师进行逐一的，通常情况下的做法是添加快速熔断器进行保护，实际上它不能保护可控硅，而是保护变压器线圈。