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晶体管原理知识对于刚刚开始接触电子电路设计的新人工程师来说，是非常重要的。薄膜晶体管作为一种非常常见的电子元件，在很多工业控制电路系统中都能看到它的身影。在今天的基础课堂知识分享中，我们将会就这种晶体管的工作原理知识展开简要介绍。
作为绝缘栅场效应晶体管的一个重要分支，薄膜晶体管的工作状态其实跟单晶硅MOSFET没有太大的区别，下面我们就以n沟MOSFET为例来说明其工作原理。这种MOSFET的物理结构如下图所示。
n沟MOSFET物理结构图
在了解了其物理结构后，接下来我们来具体分析与喜爱薄膜晶体管原理。这种晶体管的工作原理其实并不复杂，当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，电力线由栅电极指向半导体表面，并在表面处产生感应电荷。随着栅电压增加，在晶体管的表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层。当达到强反型时，源漏间加上电压就会有载流子通过沟道。当源漏电压很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大。而当源漏电压很大时，它会对栅电压产生影响，使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱，半导体表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减小，沟道电阻随着源漏电压增大而增加。漏电流增加变得缓慢，对应线性区向饱和区过渡。当源漏电压增到一定程度，漏端反型层厚度减为零，电压在增加，此时半导体器件进入饱和区。
以上就是本文针对薄膜晶体管原理知识，所进行的总结和年间要分析，希望能对各位新人工程师们的设计和学习有所帮助。
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