两种无限流电阻中浪涌电流抑制方法比对

在电子电路工程设计中，通常都会需要对浪涌电流进行抑制。因为浪涌电流很大程度上会影响电力设备与电路的安全性。在本文中小编将为大家介绍对于无限流电阻中的上电浪涌电流的抑制模块设计。

无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块

（a）

（b）
图1一种上电浪涌电流抑制电路

有人提出一种无限流电阻的上电浪涌电流抑制电路如图1（a）所示，其上电电流波形如图1（b）所示，其思路是将电路设计成线形恒流电路。实际电路会由于两极放大的高增益而出现自激振荡现象，但不影响电路工作。从原理上讲，这种电路是可行的，但在使用时则有如下问题难以解决：如220V输入的400W开关电源的上电电流至少需要达到4A，如上电时刚好是电网电压峰值，则电路将承受4×220×=1248W的功率。不仅远超出IRF840的125W额定耗散功率，也远超出IRFP450及IRFP460的150W额定耗散功率，即使是APT的线性MOSFET也只有450W的额定耗散功率。因此，如采用IRF840或IRFP450的结果是，MOSFET仅能承受有限次数的上电过程便可能被热击穿，而且从成本上看，IRF840的价格可以接受，而IRFP450及IRFP460则难以接受，APT的线性MOSFET更不可能接受。

欲真正实现无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块，需解决功率器件在上电过程的功率损耗问题。另一种上电浪涌电流抑制模块的基本思想是，使功率器件工作在开关状态，从而解决了功率器件上电过程中的高功率损耗问题，而且电路简单。电路如图2（a）和（b）所示，上电电流波形如图2（c）所示。

（a）

（b）

（c）
图2

本文介绍了在无限流电阻中的上电浪涌电流的抑制，通过两种方法的比对，读者可以选择更加适合自身设计的方法来进行浪涌电流的抑制，并且每种方法的优点与缺点不尽相同，更加方便了设计者们进行选择。