高瞬态响应的存储器电源解决方案TPS51216-EP

对于电子研发工程师来说，在新产品设计时为其配备一种高性能的存储器电源解决方案是非常重要的。那么，TI新近推出的存储器电源终端解决方案，TPS51216-EP完整存储器电源终端将会是最合适的目标。该款产品目前已经开始面向客户供货发售。该产品能够为DDR2、DDR3和DDR3L提供同步降压电源解决方案，相比较传统型号而言，其最大的特点在于它为存储器系统提供了一个完整的电源，实现了DDR3和DDR3L记忆系统的最低总成本和最小空间。TPS51216-EP在其内部集成了一个同步BUCK监管机构控制器（即VDDQ）、2-A降压/源跟踪LDO（即VTT）和缓冲低噪声参考（VTTREF）。

作为集成了业内最新技术的存储器电源终端解决方案，此次TI所推出的TPS51216-EP存储器电源终端，在D-CAP模式中适用300千赫/400kHz频率，使其具备易用性和快速的瞬态响应。VTTREF跟踪VDDQ/2能维持在优秀的0.8%准确率以上。同时，TI还在TPS51216-EP的制作工艺中使用了超薄技术，它提供了2-A降压/源峰值电流功能,只需要10-µF陶瓷电容就能够接通。此外，TPS51216-EP还提供有一个专门的LDO供应输入可用。

在应用方面，TPS51216-EP存储器电源终端能够为用户提供丰富的实用功能以及优秀的电源性能。它支持灵活的权力状态控制，能够在S3阶段使VTT维持高-Z状态，并将VDDQ、VTT和VTTREF（软关断）维持在S4/S5阶段中。

作为一款实用范围广泛、集成多种功能的新产品，TPS51216-EP具有可编程OCL与低边检测MOSFET RDS（on）传感，OVP/UVP/UVLO也可以提供关闭和热保护。该支持20-引脚，3mm×3mmWQFN指定封装，饱和结温范围为-55℃到125℃范围内适用。

TPS51216-EP产品特性：

同步降压控制器（VDDQ）

·转换电压范围：3-28V

·输出电压范围：0.7-1.8V

·0.8%VREF准确性

·D-CAP模式下能够完成快速瞬态响应

·选择300千赫/400khz切换频率

·全面优化效率与Auto-Skip轻、重负荷的功能

·支持Soft-OffS4/S5

·OCL/OVP/UVP/UVLO保护

·Powergood输出

通透LDO（VTT），缓冲参考（VTTREF）

·通透汇和源电流（峰值）

·只需要10-µF陶瓷输出电容即可接通

·缓冲低，噪音低，10-mAVTTREF输出

·VTTREF0.8%，偏置VTT准确性强

·支持在S3和S4Soft-OffS4/S5

具有热关机功能

拥有20-引脚、3mm×3mmWQFN封装

支持国防、航空航天和医疗应用程序

·控制基线

·具有一个装配/测试网点

·具有一个制造网点

·在军事应用中，-55℃到125℃温度范围内适用

·产品生命周期延长性更好

·扩展产品更改通知

·产品具有可追溯性

TPS51216-EP功能方框图：

TPS51216-EP功能方框图