图文讲解IGBT理想等效与实际等效电路

IGBT系统在电子电路设计过程中的用处非常之大。其不仅拥有开关速度快驱动功率小的特点，此外还拥有双极型器件的一些优秀特点。本文将为大家介绍IGBT的一种理想等效电路与实际等效电路，感兴趣的朋友快来一起看一看吧。

理想等效电路与实际等效电路如图1图2所示：

图1理想等效电路

图2实际等效电路

IGBT的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：

表1

图3

IGBT的开通过程

IGBT在开通过程中，分为几段时间：

1、与MOSFET类似的开通过程，也是分为三段的充电时间。

2、只是在漏源DS电压下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。

在上面的表1中，定义了：开通时间Ton，上升时间Tr和Tr。i除了这两个时间以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i。IGBT在关断过程。

IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。第一段是按照MOS管关断的特性的，第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极电流较长的尾部时间。表1中定义了：关断时间Toff，下降时间Tf和Tf.i。

除了表格中以外，还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td（off）。漏极电流的下降时间Tf由图3中的t（f1）和t（f2）两段组成，而总的关断时间可以称为toff=td（off）+trv十t（f），td（off）+trv之和又称为存储时间。

从下面图4可看出详细的栅极电流和栅极电压，CE电流和CE电压的关系：

本文针对IGBT的理想等效电路与实际等效进行分析，并对其中的一些参数进行了全面的讲解，对参数的意义与一些参数之间的联系进行了解答，通过图文并茂的方式来让大家全面立体的了解这款优秀的电源设计，希望大家在阅读过本文之后能够有所收获。