微软公司宣布不再支持你正在使用的 IE浏览器,这会严重影响浏览网页,请使用微软最新的Edge浏览器
厂商专区
产品/技术
应用分类

Diodes栅极驱动器开关功率MOSFET与IGBT

2016-03-14 14:51 来源:电源网 编辑:Bamboo

Diodes公司(Diodes Incorporated)新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包括大型家用电器的驱动电机、工业自动化系统以及电动自行车和无人驾驶飞机等以电池供电的运载工具。新产品还适用于超过600W的电源,以及燃料电池、太阳能和风力发电应用的反相器。

DGD21xx系列
DGD21xx系列

DGD21xx系列具有可自举到高达600V的浮动高侧驱动器,使之适用于在电机驱动器及电源常见的高压电源轨。高峰值电流驱动能力实现MOSFET与IGBT的快速开关,从而在高频率工作下提升效率。这些器件的输入逻辑兼容低至3.3V,进一步简化控制器及电源开关之间的接口设计。

为防止MOSFET或IGBT出现击穿现象,所有器件都提供延迟匹配能力,而半桥驱动器还配备预设的内部死区时间。其它自我保护功能包括有效防止触发故障状态的施密特(Schmitt)输入;能够承受由高dV/dt开关所产生负瞬态的栅极驱动器,以及可在低供电电压情况下防止故障的欠压闭锁。

新产品系列采用SO-8或SO-16封装,与其他来源的器件引脚兼容。如欲了解进一步产品信息,请访问diodes官网。

声明:本内容为作者独立观点,不代表电源网。本网站原创内容,如需转载,请注明出处;本网站转载的内容(文章、图片、视频)等资料版权归原作者所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片,未能及时和您确认,避免给双方造成不必要的经济损失,请电邮联系我们,以便迅速采取适当处理措施;欢迎投稿,邮箱∶editor@netbroad.com。

相关阅读

微信关注
技术专题 更多>>
2024慕尼黑上海电子展精彩回顾
2024.06技术专题

头条推荐

电子行业原创技术内容推荐
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
获取一手干货分享
免费技术研讨会
editor@netbroad.com
400-003-2006