如何对EMI干扰进行近场探测相对测量

在之前的文章中，小编为大家介绍了如何分析EMI报告与使用哪些仪器来对EMI辐射进行检测。在本文中，小编将为大家介绍如何对近场探测开展相对测量。对于EMI技术仍旧感到迷惑的朋友，快来随小编一起看一看吧。

在实际操作中，其实很多时候可以采用待测设备发生的电磁场来进行相对测量，更有甚者，可以使用MDO的频谱分析仪功能和射频通道探测近场中的波阻行为，从而找出能量源来。与此同时，设计者可以用示波器某个模拟通道上的无源探针探测信号，以便发现与射频关联的信号。

图1

不过首先需要了解一些有关待探测的电磁场区的一些背景知识。图1显示了处于近场和远场中的波阻行为以及两者之间的过渡区。从图中可以看到，在近场区中，场的范围可以从占主导地位的磁场到占主导地位的电场。在近场中，非辐射行为是主导的，因此波阻取决于源的性质和距源的距离。而在远场中，阻抗是固定不变的，测量不仅取决于在近场中可观察到的活动，而且取决于天线增益和测试条件等其它因素。

这张图显示了近场和远场中的波阻行为以及两者之间的过渡区。近场测量可用于EMI排查。

近场测量是可用于EMI排查的一种测量，因为它不要求测试站点提供专门的条件就能查出能量源。然而，一致性测试是在远场中进行的，而不是近场。人们通常不会使用远场，因为有太多的变量让它变得复杂起来：远场信号的强度不仅取决于源的强度，而且取决于辐射机制以及可能采取的屏蔽或滤波措施。根据经验需要记住，如果能观察远场中的信号，那么应该能看到近场中的相同信号。（然而，能观察到近场中的信号而看不到远场中的相同信号是很可能的）

近场探针实际上就是设计用于拾取磁场（H场）或电场（E场）变化的天线。一般来说，近场探针没有校准数据，因此它们适合用于相对测量。如果对用于测量H场和E场变化的探针不熟悉，那么最好了解一些近场探针设计和最佳使用方法：

图2 将H场探针与电流流向保持一致可以使磁场线直接穿过环路

H场（磁场）探针具有独特的环路设计，如图2所示。重要的是，H场探针的方向是有利于环路平面与待测导体保持一致的，这样布置的环路可以使磁通量线直接穿过环路。

环路大小决定了灵敏度以及测量面积，因此在使用这类探针隔离能量源时必须十分小心。近场探针套件通常包含许多不同的环路大小，以便使用逐渐减小的环路尺寸来缩小测量面积。

H场探针在识别具有相对大电流的源时非常有用，比如：

低阻抗节点和电路；

传输线；

电源；

端接导线和电缆；

图3 将E场探针垂直于导体放置以便观察电场

E场（电场）探针用作小型单极天线，并响应电场或电压的变化。在使用这类探针时，重要的是要保持探针垂直于测量平面，如图3所示。

在实际应用中，E场探针最适合查找非常小的区域，并识别具有相对高电压的源以及没有端接的源，比如：

高阻抗节点和电路；

未端接的PCB走线；

电缆；

在低频段，系统中的电路节点阻抗可能变化很大；此时要求一定的电路或实验知识，以确定H场或E场能否提供最高的灵敏度。在较高频段，这些区别可能非常显著。在所有情况下，开展重复性的相对测量很重要，这样就能肯定因为实现的任何变化引起的近场辐射结果能被精确再现。最重要的是，每次试验改变时近场探针的布局和方面要保持一致。

通过以上的内容介绍，可以看到如果想要完全掌握对EMI干扰的测量与抑制，除去理论知识外的电路或实验知识也是非常重要的。因此如果想要掌握好此方面的问题，就要从多方面来进行总结与分析。希望大家在阅读过本文之后能够有所收获。