为了最大程度上展现智能控制器LM74610的能力,德州仪器推出了能够全面对其进行评估的智能评估板LM74610-DQEVM。此款评估模块结合了LM74610的优点,可以在一定程度上减少功率损耗和压降,感兴趣的朋友快来随小编看一看吧。
LM74610-DQEVM评估模块展示了二极管OR-ing配置中用于取代肖特基二极管和P通道MOSFET的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中,两个LM74610智能二极管控制器用于驱动两个40V(VDS)外部N通道MOSFET。LM74610-DQEVM与两个单独电压轨或电源串联时模拟理想的二极管OR-ing属性。此OR-ing控制器可让MOSFET替代配电网络中的二极管整流器,从而减少功率损耗和压降。在任何输入中感应到负电压时,LM74610拉下MOSFET栅极并将连接的负载与电源隔离。
输出电压继续跟随更高的正电压。两种输入端的TVS电压钳位二极管负责保护LM74610-DQEVM的安全以便进行ISO7637瞬态脉冲测试。
LM74610-DQEVM
特性
最大反向电压:-45V;
快速响应动态电流反向:<10μs;
最高输入电压为MOSFET的漏源极电压:40V;
最大负载电流为漏电流(Id):75A;
零Iq和低反向漏电流;
符合汽车ISO7637和CISPR25要求;
可以看到,此款评估方案很好的继承了LM74610的优点,不以接地为参考的前提,很好的实现了零Iq。此外还能符合目前主流的汽车ISO7637和CISPR25要求,更加难得的是,德州仪器(TI)的LM74610-DQEVM能够成功减少功率损耗和压降,对此类参数有所需求的朋友可以关注该产品。
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