实例 一种单片机可控硅电路中LDO烧毁原因分析

在双向可控硅电路中，电路打火是一种经常出现的错误现象。很多新手再遭遇电路打火之后都需要耗费很多的精力和时间来进行错误排查。本文将通过举例的方式，为大家介绍一种单片机电路打开可控硅之后电路打火进而烧毁LDO的原因，并试着找出解决方法。

原理图如图1所示，当直流24V是半波后阻容降压，HT7533转换3V给单片机控制可控硅和继电器，单片机控制信号先打开可控硅6ms，再打开继电器。当可控硅不焊接的时候，单片机控制继电器都正常，但接上MAC97A之后，单片机一旦打开可控硅，电路就会打火，单片机和后端的24V转3V的LDO便会烧毁。

那么是什么原因造成了这种现象呢？

图1

图2

首先需要明确的是，如果使用可控硅控制，那么就要使用MOC3022之类光耦隔离控制，要求阻容降压电源正极和交流电源线共线，同时可控硅A1接在共线上。但是从图上来看，可控硅的G和T2之间电压很小，在可控硅焊接之后，就可以把220v引入，此时是必定会打火的。

此外可以看到电路中的网格编号是互通的，看图中相同网络编号的黑粗线，继电器两个触点和可控硅的T1、T2是并联的。因此需要再加个MOC3021隔离驱动可控硅，可控硅驱动不是只在G接控制即可，G的控制是相对于T2的，但本例中的T2是达到了220v。

实际上此套电路的设计思路很有想法，继电器接通时有抖动，这样可以避免继电器抖动带来的危害，因为在继电器接通时可控硅已经打通。

可以看到，文中所介绍的双向可控硅案例之所以出现烧毁的现象。是因为电压引入过大造成的。当然，也不是每种电路烧毁的现象都是由于这种原因造成的，这里小编只是为大家分析了其中一种问题的产生原因，希望大家再阅读过本文之后能够有所收获。