赛普拉斯低引脚数HyperRAM™存储器简化嵌入式设计

美国加利福尼亚州圣何塞 2016年7月6日 嵌入式系统解决方案领域的领导者赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票交易代码：CY）今日宣布其基于低引脚数HyperBus™接口的全新高速自刷新动态RAM（DRAM）现开始提供样片。该款64Mb HyperRAM™可用作汽车、工业和消费等各类应用的外置便笺式存储器，用于渲染高分辨率图形或运行数据密集型固件算法。该器件拥有高达333MBps的读写带宽，并支持3V和1.8V供电电压。

HyperRAM™

与赛普拉斯的HyperFlash™NOR闪存配合使用时，HyperRAM可通过让闪存和RAM共享同一个12引脚HyperBus，为嵌入式系统提供一个简约、经济高效的解决方案。配备SDRAM和Dual-Quad SPI解决方案的传统系统需要使用两条总线上的41个上行引脚来处理数据；HyperRAM与HyperFlash解决方案可将引脚数至少缩减28个，从而简化设计，减低了PCB成本。HyperRAM是汽车仪表盘及信息娱乐系统、通信设备、工业应用和高性能消费电子产品的理想解决方案。

赛普拉斯闪存事业部副总裁Rainer Hoehler表示：“随着高分辨率图形和数据密集型应用在各类系统中日益普及，市场对简约、高性能、可为配备有限板载RAM的控制器提供外置便笺式存储器的DRAM的需求正在不断增长。凭借低引脚数HyperBus接口及其业界领先的读写带宽，我们的全新64Mb HyperRAM将能满足这一需求。除降低PCB的成本之外，与其他DRAM方案相比，HyperRAM还可通过减少引脚数来降低MCU的成本。”

为加快产品开发速度，赛普拉斯为客户和合作伙伴提供HyperBus主设备接口控制器IP 。该控制器IP可帮助设计人员为其现场可编程门阵列（FPGA）、专用集成电路（ASIC）或专用标准产品（ASSP）主机控制平台添加对HyperBus的支持。该控制器IP支持HyperRAM及HyperFlash产品，而且完全免费和免版税。

供货情况

赛普拉斯64Mb HyperRAM现提供样品，预计将于2016年第三季度量产。该器件将采用24球6x8mm球栅阵列（BGA）封装。

关于赛普拉斯的HyperFlash闪存

赛普拉斯高容量（128Mb-512Mb）HyperFlash NOR闪存可为汽车仪表盘、汽车信息娱乐系统、通信系统和工业应用中的高性能嵌入式系统提供所需带宽。HyperFlash NOR闪存可提供高达333MBps的读带宽，超过Quad SPI NOR闪存四倍，而引脚数只有并行NOR闪存的三分之一。

关于赛普拉斯的HyperBus接口

赛普拉斯HyperBus高效12-pin接口包括一个8-pin地址/数据总线，一个差分时钟（两路信号），一个芯片选择和一个控制器读数据锁存，降低整个系统的成本。基于此接口的存储器可是系统运行速度更快，缩短系统的反应时间，丰富用户体验。赛普拉斯的HyperBus接口可用于许多种高性能应用，例如汽车仪表盘、信息娱乐/导航系统、手持式显示设备、数码相机、投影仪、工厂自动化系统、医疗诊断设备、家庭自动化系统和家用电器。