安森美半导体增强CCD图像传感器的近红外性能

2016年7月12日 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），采用提升CCD图像传感器的近红外灵敏度的技术，增强在严格要求的工业应用中的成像性能。

KAI -08052图像传感器

800万像素（MP）KAI -08052图像传感器是安森美半导体CCD产品阵容中首款采用该新技术的器件，提供的近红外（NIR）波长灵敏度达公司标准的Interline Transfer CCD像素设计的两倍。此增强的灵敏度对以下应用非常关键：如科学和医疗成像等应用中在NIR波长中取样发光或发出荧光；或在机器视觉和智能交通系统（ITS）中，NIR照明通常用于更佳地检查目标或隔离车辆的车牌。

KAI-08052采用的新的CCD像素设计延伸硅片中的电子捕获区，以更佳地捕获长波长光子产生的电子。视乎研究的特定波长，这种更深的像素井可以提高检测的NIR波长达一倍。由于井结构也使光电二极管彼此隔离，从而提高了NIR灵敏度而不减少图像清晰度（调制传递函数或MTF）。

安森美半导体图像传感器部工业和安防分部副总裁兼总经理Herb Erhardt说：“摄像机制造商和终端客户不断证实这些市场需要基于CCD和CMOS技术的产品，我们持续开发和推进这两种技术很重要。KAI-08052比我们标准的像素设计显著提升NIR灵敏度，我们将采用这种技术推出更多的产品。”

KAI-08052采用符合限制使用有害物质指令（RoHS）的CPGA-67封装，提供黑白、拜耳色和Sparse Color配置，与现有的KAI-08051图像传感器及全系列的5.5µm和7.4µm CCD图像传感器完全引脚兼容，使摄像机制造商能快速采用新的器件。