总部位于美国洛杉矶市、开发替代MOSFET技术的氮化镓(eGaN)技术的宜普电源转换公司(EPC)与总部位于香港的创徽科技有限公司(ASD)宣布携手合作,共创新里程,针对客户的目标应用,利用最新的eGaN技术为客户提供最佳的解决方案。
EPC公司是研发氮化镓技术和制造氮化镓器件的领导厂商。具备优越性能的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路在各种终端应用中可以替代日益老化的MOSFET技术,包括DC/DC转换器、无线电源传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥距感测技术及D类音频放大器等应用。
总部位于香港的产品设计和制造创新者ASD公司于影像电子元件业务方面累积超过14年的经验,为客户从概念开发到产品制造提供创新及全面的解决方案。ASD为寻求高效解决方案及面向全球市场的客户提供设计和制造服务,业务主要面向美国、欧洲及大中华区市场。
ASD公司首席执行官Patrick Lee称:“对于很多客户来说,在开发各种创新的解决方案之同时要加快产品的上市进程,是一项极大的挑战,尤其是要采用全新技术。我们深信氮化镓技术拥有巨大潜力,它将带领半导体业界勇闯下一个高峰,而客户也势将寻求可以支持他们从产品概念的开发到制造的合作伙伴。我们很高兴可以与EPC公司携手合作,为客户整合先进的eGaN技术和专业设计,从概念开发到产品制造,共创新里程。”
EPC公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow称:“我们一直寻求具有丰富的系统设计经验的业务伙伴,支持客户从概念的开发到制造,从而满足市场对需求日增的eGaN技术的需要。ASD公司是我们的首选合作伙伴。在未来的季度里,我们期望在日新月异的氮化镓产业发展中与ASD公司重点集中在掌握全球市场脉搏,为客户找出最适合拓展的全新商机,例如基于eGaN技术的无线充电设计及其它的应用。我们可以看到基于氮化镓技术的产品发展迅猛,并且深信在不久的将来,基于氮化镓技术的应用可以替代基于MOSFET的应用。”
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