可控硅电路中三种常见的击穿发生原因

击穿是电路设计者最不想看到的现象之一，但是由于各种各样的原因，击穿总是时不时发生。本文就将为大家介绍在可控硅电路中经常出现的集中击穿现象，并简述如何对这种击穿现象进行预防。感兴趣的朋友快来看一看吧。

过压击穿

这种击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。

过流与过热击穿

其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的，因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的，而温度升高的过程是需要一定时间的，所以在短时间内过流（几百毫秒到几秒时间）一般是不会击穿的。

过热击穿

这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。

以上三种就是可控硅电路中常见的击穿方式。过压击穿是目前可控硅击穿的主因之一。过流与过热击穿在成因上非常相似，都是可控硅芯片内部的温度升高产生热效应造成的。需要注意的是，还有一种过热击穿是发生在额定工作电流之内的。这种击穿的成因很有可能是散热不良造成的。