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第三代半导体材料凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点，成为了新材料的热点，有着巨大的市场应用潜力。碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度，在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。
碳化硅电力电子器件技术分论坛的主题涵盖SiC衬底、同质外延、电力电子器件、模块封装和应用技术。分会广泛征集优秀研究成果，将邀请美国伦斯勒理工大学教授周达成（Tat-sing Paul Chow）、浙江大学教授盛况、德国英飞凌Peter Friedrichs or Rowland Rupp、Cree公司 A.R.Powell等国内外知名专家参加本次会议，充分展示碳化硅电力电子器件技术及其应用的最新进展。
氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术分论坛的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造，氮化镓功率应用与可靠性以及其它新型宽禁带半导体电力电子器件等。将邀请美国工程院院士、弗吉尼亚理工大学教授FredC.LEE，香港科技大学教授陈敬，日本名古屋工业大学教授江川孝志等国内外知名专家参加本次会议，呈现氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件研究与应用的最新进展。论坛同期还有第三代半导体与新一代移动通信技术、第三代半导体与固态紫外器件技术分论坛。
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