面向单管IGBT的TRENCHSTOP Advanced Isolation封装

2017年6月27日，德国慕尼黑讯—英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新封装技术TRENCHSTOP™ Advanced Isolation。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT，确保一流的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化，可取代全塑封封装(FullPAK)及标准和高性能绝缘箔。该新封装适用于诸多应用，如空调功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)和变频器等。

常见的绝缘选择， 像FullPAK或采用绝缘材料的标准TO封装，其价格昂贵，较难加工。此外，它们不足以满足最新推出的大功率密度IGBT的散热需求。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation具有与标准TO-247封装同样的尺寸，但100%绝缘。不过，无需使用绝缘箔或导热硅脂。得益于从IGBT晶圆到散热器有效可靠的散热路径，该全新封装具备更大功率密度。它提高了可靠性，并降低了系统和制造成本。

由于不再需要使用绝缘材料和导热硅脂，设计人员可以将装配时间缩短达35%。与此同时，其通过消除错位箔片提高了可靠性。该全新封装的热阻(Rth)比TO-247 FullPak低50%，比采用绝缘箔的标准TO-247低35%。这些改进都转变成性能提升，相比采用FullPak封装，工作温度降低10° C。相比采用绝缘箔的标准TO-247，使用TRENCHSTOP™ Advanced Isolation封装可将系统效率提高0.2个百分点。

另外，该封装具有仅38 pF的低耦合电容，这意味着抗电磁干扰(EMI)性能更佳，并有可能使用较小的滤波器。改进散热特性还有助于提高可靠性，其原因在于IGBT可在较低温度下工作，这可减轻对元器件的压力。工作温度降低还可减小散热器件的尺寸，这有助于节省系统成本。另外，由于散热要求有所降低，设计人员也可以选择更高的设计裕度，实现更高功率密度。