亚德诺半导体推出MOSFET驱动器 提供100%占空比能力

2017年7月13日，亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003，该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。

其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容 MOSFET，因此非常适合高频开关和静态开关应用。

LTC7003 在 3.5V 至 60V (65V 绝对最大值) 输入电源范围内运行，具 3.5V 至 15V 驱动器电源范围。该器件通过监视外部检测电阻器两端的电压来检测过流情况，这个电阻器与外部 MOSFET 开关的漏极串联。当 LTC7003 检测到开关电流已经超过预设值时，就确定一个故障标记，开关则关断一段时间，关断时间长短由一个外部定时电容器设定。经过预定冷却时间之后，LTC7003 自动重试。

LTC7003 用来接收一个以地为基准的低压数字输入信号，并快速地驱动一个高压侧 N 沟道功率 MOSFET，该 MOSFET 的漏极可比地高 60V。当驱动一个 1000pF 负载时，快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。LTC7003 具可调电流限制、电流监视输出以及可调过压闭锁和使能输入。

LTC7003 采用 MSOP-16 封装。可提供 3 种工作结温级版本，扩展和工业温度级版本的温度范围为 –40°C 至 125°C，高温汽车级版本的温度范围为 –40°C 至 150°C，而军用温度级版本的温度范围则为 –55°C 至 150°C。

60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器

性能概要： LTC7003

• 宽 VIN 工作范围：3.5V 至 60V (65V 绝对最大值)

• 内部充电泵提供 100% 占空比能力

• 1Ω 下拉、2.2Ω 上拉实现快速接通和关断时间

• 快速 35ns 传播延迟

• 短路保护

• 自动重启定时器

• 开漏故障标记

• 可调接通和关断转换速率

• 栅极驱动器电源范围为 3.5V 至 15V

• 可调电流限制

• 电流监视器输出

• 可调输入欠压和过压闭锁

• 低停机电流：1µA

• CMOS 兼容型输入