NXP晶体管贸泽开售 65V LDMOS技术让射频功率设计提速

2017年10月20日 – 专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)，即日起开始备货NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶体管。MRFX1K80H 是MRFX系列射频 (RF) MOSFET晶体管，此系列器件采用了最新的LDMOS（橫向扩散金属氧化物半导体）技术。MRFX1K80H运用LDMOS技术来提高宽频应用的输出功率，同时维持适当的输出阻抗。

贸泽备货的NXP MRFX1K80H LDMOS晶体管能在65V连续波时提供1800W功率，适用于1.8至470 MHz的射频应用，并且能在所有相角下提供65:1的电压驻波比 (VSWR)。此器件提供50Ω匹配阻抗，可缩短整体开发时间。MRFX1K80H 设计用于30V到65V扩展级电源范围，并具备高击穿电压特性，能增强可靠性，提升效率。这种耐高压特性还可降低系统电流，从而限制直流电源上的应力并减少磁辐射。高输出功率还能减少晶体管数，简化功率放大器复杂度，并降低整体成本。

MRFX1K80H适用于具有适当偏置的线性应用，并提供集成静电放电 (ESD) 防护，改善C类放大器运行性能。MRFX1K80H的目标应用包括工业、科学与医疗 (ISM) 应用以及广播、航空航天与移动无线电设备。

NXP MRFX1K80H射频功率LDMOS晶体管

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