2019年快1000倍的下一代存储芯片或将研发成功

4月26日晚10时，夜色渐深，武昌喻家湖东路，武汉光电国家研究中心的一间实验室里仍然灯火通明，100多人的研发团队正挑灯夜战，全力研发“下一代存储芯片”。墙上，贴满了团队在国际知名期刊上发表的论文，以及大批专利证书。

“我们正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术，预计明年能在实验室研发成功。到时候，芯片的读写速度会比现在快1000倍，可靠性提高1000倍，一旦产业化成功，将颠覆产业格局。目前，英特尔等产业巨头也在研究这一方向。”研发负责人、教育部“长江学者”特聘教授、华中科技大学光电学院副院长缪向水介绍。

“芯片是信息社会的粮食，其中存储器芯片是应用最广泛的，市场最大的芯片，所有的电子产品，包括手机、相机、电脑都离不开它。当前，我国每年进口额高达2600亿美元，其中四分之一是存储器，95%的存储器芯片依靠进口。”缪向水说。

53岁的缪向水研究信息存储技术32年，曾在亚洲顶尖的新加坡国立大学任教10年，2007年回国后开始自主研发存储器芯片，同时兼任武汉新芯首席科学家。

自主研发的道路并不平坦，缪向水介绍，芯片是一个高度复杂的科技产品，5毫米见方的硅片上，电路只有头发的几百分之一粗细，肉眼无法看到，每个存储器加工过程有66步工艺，一步都不能错，且芯片加工设备昂贵，流片出错的成本极高，一不小心损失可达上千万元。

多年来，缪向水带领科研团队不断攻关克难。25岁的博士生冯金龙进入研发团队已经3年，他和团队成员们整天都泡在实验室里，不是在查阅资料，就是穿着白大褂，在超净间的高倍显微镜下做实验。“我做的是芯片材料机理的研究，生活是单调了一点，但发现新东西让我很有成就感。”他说。

“芯片是国之重器，信息产业严重依赖芯片，产业命脉应该掌握在自己手上，重大核心技术必须靠自主研发，不能让别人卡着脖子。”缪向水表示，目前，我国的芯片产业离国外还有不少差距，但我们不能自暴自弃，也不能急于求成，要静下心来，坐冷板凳，坚持自力更生，产学研协同，共同攻关，未来我们一定能圆“芯片梦”。

4月上旬，长江存储武汉基地芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层 3D NAND闪存芯片将于年内量产。