微软公司宣布不再支持你正在使用的 IE浏览器，这会严重影响浏览网页，请使用微软最新的Edge浏览器
微软公司宣布不再支持你正在使用的 IE浏览器，这会严重影响浏览网页，请使用微软最新的Edge浏览器
微软公司宣布不再支持你正在使用的 IE浏览器，这会严重影响浏览网页，请使用微软最新的Edge浏览器
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决方案能实现出色的散热性能及能源效率，减少用料并降低总生产成本。
950 V CoolMOS P7的特性包括出色的DPAK导通电阻，能实现更高密度的设计。此外，出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使该MOSFET器件易于驱动和设计。与英飞凌业界领先的P7系列其他成员类似的是，该器件集成齐纳二极管ESD保护机制。这可以提高装配生产量，从而降低成本，并减少与ESD有关的生产问题。
950 V CoolMOS P7能使效率提升达1%，并且MOSFET温度得以降低2 ˚C到10 ˚C，实现更高能效的设计。相比前几代CoolMOS系列而言，该器件还将开关损耗降低达58%。较之市场上的竞争技术，这方面的性能提升超过50%。
950 V CoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK和SOT-223封装。这样就可以从通孔插装器件（THD）变为表面贴装器件（SMD）。
供货
全新950 V CoolMOS P7现已开始供货。
声明：本内容为作者独立观点，不代表电源网。本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原作者所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；欢迎投稿，邮箱∶editor@netbroad.com。
| 微信关注 | ||
 |
| 技术专题 | 更多>> | |
 |
| 2024慕尼黑上海电子展精彩回顾 |
 |
| 2024.06技术专题 |
| 电子行业原创技术内容推荐 | |
 |
互联网违法不良信息举报
Reporting Internet Illegal and Bad Information
editor@netbroad.com
400-003-2006
直播 
