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2019年1月22日 - 意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管，将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。
MDmesh DM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr)，最大限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。优化的恢复软度增强了产品可靠性。此外，极低的栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(ON))以及针对轻负载优化的电容曲线，使应用能够实现更高的工作频率和更高的能效，简化热管理设计并降低EMI干扰。
这些新器件非常适用于电动汽车充电桩、电信设备或数据中心电源转换器和太阳能逆变器等，更稳定的性能和更高的功率密度让应用设计的电能额定参数更加优异。
MDmesh DM6系列属于STPOWER™产品组合，全系共有23款产品，额定输出电流范围15A至72A，栅极电荷(Qg) 20nC至117nC，RDS(ON)电阻0.240 Ω至0.036 Ω，采用主流的功率封装，包括新的低电感无引线TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247，其中TO-247配备短引线、长引线或Kelvin引脚，适合有精密电流检测需求的应用。
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