如果MOSFET栅极悬空，加直流高压，危险吗？

本篇文章就“mosfet栅极悬空，加直流高压，是否危险”的问题，进行详细的分析，跟着小编一起来学习一下吧！

一、问题描述

起因：交流电机，全桥拓扑，双管并联代替单管，为了测试单管性能，另一管栅极悬空。

过程：小负载工作，一切正常；突加负载，爆管子；最大负载没有超过单管容量。

现象：上下桥直通。栅极悬空者都爆，正常驱动者个别存活。

二、分析过程

采用电容模型：严重说不通；

采用米勒效应法：有点意思，问题在于，电机正常工作时，就存在漏源极之间电压变化率，虽然大电流变化率会引起漏源极之间的电压快速变化。是大电流引起的吗？

其他说法：电磁干扰，是啊，怎么耦合的呢？

考虑mos的寄生电容模型如下：（栅极悬空）

DS突加直流电压，Cgd上的电压会发生剧烈变化，根据公式：

会瞬间感应出较大的冲击电流igd，由于栅极悬空，该电流无路可走，只能给Cgs充电，导致Vgs升高，当Vgs大于门槛电压Vth时，该mos误开通，导致桥臂直通炸管子。

另外, G级加下拉电阻是必须的，但是加下拉电阻的目的是防止空间电荷在Cgs上积累而导致栅极击穿，即给空间电荷提供一条泄放回路。在这种情况下，个人认为下拉电阻不会起到太大作用，请看下图：

DS突加直流电压，会导致瞬间冲击电流igd是肯定的了，关键就在于加了下拉电阻后igd是不是主要流经下拉电阻，而不给Cgs充电。答案是否，因为下拉电阻一般是10k的量级，而igd是高频冲击电流，电容在高频处的阻抗是很小的。从简单的分流原理就可以看出，igd大部分还是会给Cgs充电，导致mos误导通。

三、正确的做法

加入驱动电路，并把驱动拉低，给igd提供一条低阻抗的回路。如下图：

至于问题中为什么轻载时没问题重载有问题，就不细细分析了。就像有时候电源正负极接反了芯片还不会烧呢，一个错误的做法并不一定会导致器件的损坏，但分析这种“幸存”的原因，有些毫无意义！