你要的磁导率这里都有...（内含计算过程）

本篇文章主要介绍一下6种磁导率的详细计算方法，快来学习一下吧！

1、磁介质的磁导率

电流产生磁场，但电流在不同的介质中产生的磁感应强度是不同的。例如，在相同条件下，铁磁介质中所产生的磁感应强度比空气介质中大得多。为了表征这种特性，将不同的磁介质用一个系数μ来考虑，μ称为介质磁导率，表征物质的导磁能力。在介质中，μ越大，介质中磁感应强度B就越大。

真空中的磁导率一般用μ0表示。空气、铜、铝和绝缘材料等非磁材料的磁导率和真空磁导率大致相同。而铁、镍、钴等铁磁材料及其合金的磁导率都比μ0大10～105倍。

最初，将真空磁导率μ0定为1，其他材料的磁导率实际上是真空磁导率的倍数。沿用了很长时间，并影响到一些基本关系式的表达，就是在公式中经常出现的4π，现在英美还在应用，这就是非合理化单位制(CGS制)的来由。

但是，近代物理经过测试，实际真空磁导率：

因此其他材料的实际磁导率应当是原先磁导率乘以μ0。因为在μ0中包含了4π，这样在所有表达电磁关系的公式中没有了讨厌的4π，形成了所谓合理化单位制（MKS制）。这里将其他材料磁导率高于真空磁导率的倍数称为相对磁导率μr。 也称为绝对磁导率：

为了比较介质导磁性能，通常以真空磁导率为基准，定义介质的磁导率μ与真空磁导率μ0之比为相对磁导率μr，即：

磁性材料的相对磁导率不是一个常数，因μ是 B-H曲线上任意一点的B和H的比值，即：

2、最大磁导率μm

图4-11中μ曲线表示了μr值是随磁场强度变化的曲线。在某一磁场强度下，相对磁导率达到最大值，称为最大磁导率μm。

3、初始磁导率μi

一般规定材料样件是环形的闭合磁路。当激励磁场强度H→0时的磁导率称为初始磁导率μi：  

初始磁导率μi与温度和频率有关。例如在DIN IEC401中规定软磁铁氧体材料的μi测试条件为f≤10kHz，B<0.25mT,T=25℃。

4、增量磁导率μ∆

在一个直流磁场上叠加一个交流磁场时(图4-12)，交流分量的磁导率即为增量磁导率μ∆ ：

如果交流分量和直流分量比较，小到可以忽略，则增量磁导率称之为可逆磁导率(μrev)。该值与直流磁场大小，磁芯的几何形状及温度有关。

5、有效磁导率μe

电感的磁芯采用低磁导率环形磁芯外， 有时还采用开有空气隙(μr=1)的高磁导率（μi>>1磁材料)磁芯。高磁导率磁芯存储能量很少，主要用空气隙存储能量。

如果是带有气隙为δ的环形磁芯(图4-13(a))，截面积Ac，有效磁路长度为lc，线圈匝数为N，线圈电流为I，假设气隙δ相对于截面的尺寸很小，忽略散磁通。根据全电流定律有：

式中Hδ和Hc分别为气隙和磁芯中的磁场强度。因为气隙很小，不考虑气隙的边缘磁通，则有：

又因为忽略边缘磁通，故磁芯磁通密度Bc=Bδ－气隙磁通密度，因此近似有：

μe为有效磁导率。这就是说，磁芯带有气隙后，等效的磁导率降低了。如果μr>>lc/δ，则有效磁导率近似为：

则式(4-15)可以改写为：

式中Hc=Bc/μ0μr。带有气隙的磁芯产生与无气隙时相同的磁通密度，磁场强度分为两个部分：磁芯中的Hc和等效的气隙磁场强度H’δ=μrδ/lc，带有气隙磁芯磁化曲线是磁芯磁化特性与气隙磁化特性的合成，如图4-13(b)所示。由图4-13（b）可见，合成磁化曲线的线性度比材料磁化曲线好得多。也就是说磁芯材料特性的非线性被磁阻大得多的线性气隙“湮没”了。而且可通过改变气隙的大小，方便地改变磁芯的有效磁导率。其次，由于气隙的去磁作用，磁芯的剩磁感应(Br)大大下降了，这个性能对单向磁化应用非常有用。

6、幅值磁导率(μa)

没有直流偏置时，交变磁场强度的幅值与磁通密度幅值的关系称为幅值磁导率μa：

因为磁化曲线是非线性的，幅值磁导率与峰值磁场强度有关。