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使用基于GaN的InnoSwitch IC设计更小巧、更强大的USB PD充电器

2019-08-19 11:25 来源:Power Integrations 编辑:电源网

Power Integrations推出的InnoSwitch产品系列最新器件 可在整个负载范围内提供95%的高效率,并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100 W的功率输出。这一突破性的性能提升得益于PI自行研发的氮化镓(GaN)技术。

在新发布的IC中,高压GaN开关替代了IC初级侧的常规硅晶体管,从而大幅降低能耗,使体积更小的InSOP-24D封装提供更大的输出功率。目标应用包括USB PD和大电流充电器/适配器、机顶盒、显示器、家电、网络及游戏产品。

使用基于GaN的InnoSwitch IC设计更小巧、更强大的USB PD充电器


目前已有三个产品系列集成该GaN技术– InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro,并且提供多款设计范例:

InnoSwitch3-CP -最适合恒功率充电

• DER-602 -100 W USB PD Type-C充电器

• DER-601 -60 W USB PD Type-C充电器

InnoSwitch3-EP -最适合敞开式电源

• DER-747 -65 W家电及 工业应用电源

InnoSwitch3-Pro -最适合可动态控制的电压及电流

• DER-805 -100 W USB PD 3.0充电器(提供 3.3 V-21 V PPS输出)

• DER-803 -60 W USB PD 3.0充电器(提供 3.3 V-21 V PPS输出)

标签: PI InnoSwitch GaN

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