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性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET

2020-03-03 15:12 来源:英飞凌 编辑:电源网

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言,新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。CoolMOS™ S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改进以及高脉冲电流能力,并且具备最高质量标准。该器件适合的应用包括有源桥式整流器、逆变极、PLC、功率固态继电器和固态断路器等。此外,10 m?6?8 CoolMOS™ S7 MOSFET是业界RDS(on)最小的器件。

性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET

该产品系列专为低频率的开关应用而开发,旨在降低它们的导通损耗,确保响应速度最快和效率最高。CoolMOS™ S7器件甚至实现了比CoolMOS™ 7产品更低的RDS(on) x A,因而能够成功地抵消开关损耗,最终实现导通电阻降低和成本节省。对于高压开关而言,CoolMOS™ S7产品拥有市面上最低的导通电阻(RDS(on))。此外,10 mΩ芯片采用创新的顶面冷却QDPAK封装,22 mΩ芯片采用先进的小型TO无引脚(TOLL)SMD封装。这些MOSFET可助力实现经济、简化、紧凑、模块化和高效的设计。设计出来的系统可以轻松满足法规要求和能效认证标准(如适用于SMPS的Titanium®标准),也能满足功率预算,减少零部件数量和散热器需求,同时降低总拥有成本(TCO)。

标签: 英飞凌

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