宜普电源转换公司（EPC）将于APEC 2020展览会展示

EPC公司将于是次展览会展出多个演示品，为工程师阐释具备行业领先性能的氮化镓器件如何推动多个行业的功率传输转型，包括运算、通信及电动汽车等行业。

EPC团队将于3月15至19日在美国新奥尔良（New Orleans）举行的APEC 2020展览会上，进行11场关于氮化镓技术及应用的演讲 （参考下方图表）。此外，EPC展位（#1847）也会有多个终端客户最新的、基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的产品亮相。

48 V DC/DC转换器

在展会上，EPC将发布ePowerTM Stage系列集成电路，在单一硅基GaN芯片上集成了所有功能，为行业重新定义功率转换。氮化镓技术专家将展示ePowerTM Stage及分立式氮化镓器件如何能够提升48 V功率转换器的效率、缩小其尺寸及降低系统成本。该48 V转换器面向超纤薄并且具有高功率（可高达250 W）的笔记本电脑、具有高功率密度的服务器及人工智能系统，以及汽车系统等应用。

激光雷达/飞行时间

此外，EPC将展出多个激光雷达应用，使得我们看到氮化镓技术如何支持短距及长距激光雷达传感器。展示包括用于长距离检测的直接飞行时间（DToF）系统，可在低于2.5 纳秒提供超过100 A的电流。

而用于短距离检测的间接飞行时间（IToF）系统则可在低于1.2纳秒的脉宽提供8 A脉冲电流。此外，EPC已有多家终端客户的系统已经投产，针对包括全自动驾驶汽车、自动化仓库、无人机及吸尘机等应用。

马达驱动器

EPC并将介绍如何以GaN单芯片支持电动滑板车的马达供电。ePower™ Stage器件应用于三相正弦激励，马达驱动器的每相具10 ARMS，可实现高效、宁静、高性能及低成本的电动汽车解决方案。

无线电源

在无线电源充电方面，随着物联网行业的迅速发展，全新的连接及传感器件如果需要符合5G的要求，可靠及安全的无线供电不可或缺。EPC将展示支持5G的高效无线电源解决方案，可穿透e-glass及墙壁，传输高达65 W的电源。

在展会上，EPC也同时进行11场专题演讲，议题是关于氮化镓技术及集成电路的技术发展。详情如下：

3月17日星期二

§氮化镓功率器件的前进步伐势不可挡

演讲者          : Alex Lidow博士

时间          : 9:20 am–9:45 am (IS04、地点R06)

§硅器件已经死亡、分立式器件则正在步向死亡

演讲者          : Alex Lidow博士

时间          : 3:00 pm – 3:15 pm (Ridley Engineering Presents、展位号：1517)

3月18日星期三

§采用氮化镓器件的低成本飞行时间（ToF）

演讲者          : John Glaser博士

时间          : 8:30 am – 8:55 am (IS08、地点：R02-R03)

§采用氮化镓场效应晶体管及数字控制器的超纤薄型48 V - 20 V、250 W DC/DC转换器

演讲者          : Jiangjing Wang博士

时间          : 9:20 am – 9:45 am (IS07、地点R04-R05)

§基于氮化镓场效应晶体管的三级同步降压转换器的优化设计

演讲者          : Jiangjing Wang博士

时间          : 9:50 am – 10:10 am (T12、地点：206-207)

§eGaN®技术及功率转换的未来

演讲者          : Alex Lidow博士

时间          : 1:00 pm – 1:30 pm (Exhibitor Seminar、Theater 1)

3月19日星期四

§氮化镓（GaN）器件进行极其严谨的可靠性及失效测试方法

演讲者          : Alex Lidow博士

时间          : 8:30 am – 8:55 am (IS23、地点： R07)

§面向高频功率转换器的单片式氮化镓（GaN）半桥集成电路

演讲者          : Jianjing Wang博士

时间          : 8:55 am – 9:20 am (IS19,、地点： R04-R05)

§功率转换领域的系统单芯片（SoC）的发展路径–one GaN Stage at a time

演讲者          : Ravi Ananth博士

时间          : 9:45 am – 10:10 am (IS20、地点：R02-R03)

§面向激光雷达照相机及其它低压、超高频、超快速脉冲功率应用的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）

演讲者          : John Glaser博士

时间          : 1:45 pm – 2:10 pm (IS26、地点：R02-R03)

§氮化镓集成电路可快速去除技术壁垒

演讲者          : Ravi Ananth博士

时间          : 2:10 pm – 2:35 pm (IS30、地点：R08)